A Samsung új 1Gb DDR SDRAM komponense egyetlen elemben támogatja a x4/8/16 bank-konfigurációkat, és DDR266 és DDR333 sebességű változatban is rendelkezésre áll. Harminchat összeállított TSOP2 lapkát foglal magába egy 4GB-os regisztrált DIMM, ami a lehető legnagyobb elérhető kapacitás szerverek, munkaállomások és szuperszámítógépek számára. A 2GB sűrűségű modulok asztali számítógépek (nem pufferelt DIMM) és notebook (SODIMM) alkalmazások számára szintén elérhetők az 1Gb DDR komponensek termékvonalán.

Az első lapkák elkészültének tiszteletére szervezett ünnepség 2003. július 14-én Koreában, a Hwasung létesítményben Samsung vezetők részvételével zajlott, többek között megjelent itt Chang Gyu Hwang, a Samsung elektronikus memória üzletágának elnöke is.

A Samsung először 2001. második felében, az 512Mb DDR SDRAM-ok gyártása során használta a 300mm-es lapkákat. A Samsung azzal, hogy újabb mérföldkövet rakott le a 300 mm-es gyártásban, fenntartja erős versenyképességét, mivel így az iparban elsőként gyárt a 0,10um-es áramkörökön alapuló, 200 mm és 300 mm lapkaméretben készülő 256Mb, 512Mb és 1Gb sűrűségű fejlett DRAM-okat. A 0,10 mikronos technológiát használó 1Gb DDR DRAM a #11 vonalon készül, mely a Samsung első tömeggyártású 300 mm-es termékvonala.

A San Jose-i Gartner Dataquest piacelemzői az 1Gb DDR DRAM számára 2003. második felére 900 millió dolláros eladást jósolnak. A piac 2004-re várhatóan 2 milliárd dollárosra nő, 2007-re pedig eléri a 12,1 millió dollárt.