A dél-koreai óriásvállalat most bejelentett újdonsága 4 Gb (gigabit), vagyis 512 MB (megabyte) adatot képes eltárolni, miközben memóriakapu mérete alig 70 nanométer. A Samsung Electronics által jelenleg forgalmazott 4 Gb-es flashmemóriák 120 nanométeres, vagyis 0,12 mikronos kapumérettel rendelkeznek, és tudni lehet, hogy a cég most készíti elő a 90 nanométeres újabb modellek sorozatgyártását.

A korábbiaknál nagyobb adatsűrűségű flashmemória chipek elsősorban a napjainkban egyre népszerűbb memóriakártyák kapcsán jutnak fontos szerephez. Mivel ezen eszközök fizikai méreteit szabványok írják elő, nagyobb kapacitású változatokat csak oly módon lehet előállítani, ha valahogyan sikerül összezsugorítani a bennük helyet kapó flashmemória chipeket. A nagyobb adatsűrűségű flashmemória chipeknek hála az olyan hordozható elektronikus eszközök, mint például a digitális zenelejátszók, a mobiltelefonok, illetve digitális fényképezőgépek fizikai mérete nem növekszik, viszont az általuk tárolt adatok mennyisége jelentős mértékben növekedhet.

Mióta a szöuli központú Samsung Electronics 1999-ben kifejlesztette első 256 Mb kapacitású flashmemória chipjét, minden egyes esztendőben duplájára növelte az általa előállított flashmemóriák adattároló kapacitását. A vállalat vezetői ráadásul azt állítják, hogy ez a folyamatos növekedés előreláthatólag az elkövetkezendő években sem fog lelassulni, vagyis ebben a piaci szegmensben egyelőre nem fog bekövetkezni az, ami a merevlemez szektorban. Mint ismeretes, a winchesterek kapacitás növekedése az elmúlt egy-két esztendőben jelentős mértékben lelassult.

Sonia Kim, a Samsung Electronics szóvivője elmondta, hogy a NAND típusú flashmemóriák globális piacán ebben az esztendőben mintegy 3 milliárd dolláros forgalmat fognak lebonyolítani, mely forgalom 2007-ben már a 16 milliárd dollárt is meg fogja haladni. Jelen pillanatban egyébként a Samsung és a japán Toshiba a világ legnagyobb flashmemória gyártó cégei.