Huiling Shang, az IBM kutatórészlegének tagja elmondta, hogy új lapkáik a germánium technológia segítségével a hagyományos szilícium áramkörökénél háromszor nagyobb teljesítményre képesek. A vállalat és konkurensei korábban már alkalmaztak germániumot a szintén teljesítménynövelő, úgynevezett „feszített szilíciumos” eljárásnál, ám mostanáig nem sikerült megoldaniuk a megfelelő koncentrációjú germánium beépítését a félvezető chipekbe. Az IBM-nél most kidolgozták a megfelelő eljárást, sőt arra is módot találtak, hogy a germánium réteg „kifeszítésével” még tovább fokozzák az áramkörök teljesítményét.

Az IBM képviselője elmondta, hogy a technológia még kísérleti fázisban van és leghamarabb valószínűleg a 2013-ra előirányzott 32 nanométeres eljárással készülő chipeknél fogják tömegesen alkalmazni. A cég részletesen is szeretné bemutatni az új technológiát a jövő héten San Franciscóban megrendezésre kerülő IEDM szakkiállításon.