A University of Southampton intézete jelentős sikert ért el tranzisztor kutatásai során. Az elemzők szerint az igen komoly sebességnövekedés mellett az is fontos eredmény, hogy a kutatók a meglevő gyártási technológia kismértékű módosításával érték el ezt a gyorsulást, így a technológia viszonylag rövid idő alatt sorozatgyártásba vezethető át. A megoldás lényege, hogy fluorid implantátumokat építettek be a tranzisztorok szilícium rétegeibe. Ennek hatására a tranzisztorok jóval kisebbek és egyben hatékonyabbak lettek. A korábbi rekord  sebesség 70 GHz volt, ezt növelték 110 GHz-re. A találmány minden felhasználó számára kézzelfogható eredményeket produkálhat belátható időn belül, hiszen a több millió tranzisztort tartalmazó központi egységek, grafikus magok, alaplapi lapkakészletek mind mind jelentősen gyorsulhatnak a most bevezetés alatt álló többmagos megoldások sebességnövelő hatásán túl is.