Az új NAND flashmemóriát a gyártó elsőként prototípus CompactFlash kártyákban alkalmazta, amelyek közt a legnagyobb kapacitású modell 64 GB-os. Ez mintegy 16 ezer mp3 zenefájl, vagy 64 órányi tömörített mozgókép tárolására lehet elegendő. A Samsung szerint a 40 nm-es gyártási eljárás alkalmazását a cég saját „Charge Trap Flash (CTF)” technológiája segítette elő, amely a memória-alkalmazás teljesítményét is hatékonyan növeli, ugyanakkor lehetővé teszi a jövőben a 30, majd 20 nm-es technológiákra történő váltást. A 20 nm-es processzus révén a Samsung az évtized végére akár 256 GB kapacitású fleshmemória-kártyák megjelenését jósolja.

A másik, a NAND flash eszközöknél is merészebb újdonság a NOR flash termékek leváltására kifejlesztett PRAM prototípus. A „Phase-change Random Access Memory” („fázisváltós RAM”) elnevezésű újfajta memóriaeszköz függőlegesen elhelyezett diódákat, illetve térbeli tranzisztor-struktúrát tartalmaz, amelyek a helytakarékosságot, ezáltal pedig a nagyobb adatsűrűséget szolgálják. A technológia a Samsung szerint 30-szor gyorsabb, illetve 10-szer tartósabb memóriaeszközök előállítását teszi lehetővé a NAND vagy a NOR flash-hez képest. A dél-koreai gyártó a tervezett sorozatgyártással kapcsolatban egyelőre nem nyilatkozott.