A PRAM úgynevezett fázisváltó memóriát (Phase Change Memory - PCM) alkalmaz, amit az újraírható optikai lemezeknél már alkalmazott kalkogenid fizikai tulajdonságai tesznek lehetővé. A kalkogenid ugyanis elektromos áram hatására képes eltérő vezető képességű kristályos és amorf változatokká alakulni, miáltal alkalmassá válik a bináris adatok tárolására. Az áram kikapcsolásakor a kalkogenid állapota tartósan megmarad, azaz az adatok hosszabb távú tárolása is lehetséges. A PRAM a hagyományos RAM-hoz hasonló sebességgel és kapacitással működik, vagyis a flashmemória mellett a számítógépes DRAM megoldásokat is kiválthatja a jövőben. Az új csipek emellett a NAND- és a NOR-memóriák előnyeit is egyesítik magukban.

Az első prototípust, az STMicroelectronics céggel közösen fejlesztett modellt tavaly szeptemberben mutatta be az Intel. Azóta számos tesztelést végeztek: a csipgyártó adatai szerint a PRAM memórialapka akár 100 millió írási-olvasási ciklust is kibír, és 10 évig képes megbízhatóan tárolni az adatokat. Az első 128 Mb-es példányokat az Intel az új menetrend szerint már a jövő év elején szállítja a készülékgyártóknak.