Az Intel és a Micron által létrehozott IM Flash Technologies vegyes vállalatnak sikerült olyan NAND flashmemóriát kifejlesztenie, amely a cég állítása szerint ötször gyorsabb, mint a hagyományos NAND eszközök.
A négyrétegű architektúra magasabb órajellel lehetővé teszi, hogy az újfajta NAND flash panelek 200 Mb/s olvasási 100 Mb/s írási sebességet érjenek el. Az egyszintű NAND csipek 40 és 20 megabit/s-ra képesek. Az IM Flash a közeljövőben viszont szeretné látni a technológiát számos eszközben, a flash SSD háttértáraktól és hibrid merevlemezektől a HD videókamerákig.
A cég álláspontja szerint az USB 2.0-nál tízszer gyorsabbra tervezett USB 3.0 szabvány bevezetése után éppen az alapszintű flashmemória korlátozott olvasási sebessége lesz majd az üvegnyak, amely lassítja az ilyen eszközök működését. Éppen ezért az új, többszintű NAND flash termékek megjelenése az IM flash szerint sürgető, habár konkrét időpontokról egyelőre nem tettek említést.