A vállalat szóvivője elmondta, hogy az 50 nm-es minták, 2 gigabites DDR3 eszközök, amelyek kétszer nagyobb sűrűségűek, mint a mai 1 gigabites lapkák és 40 százalékkal kevesebb energiát igényelnek, mint az elődök. A Samsung szerint a 2 Gbites lapkák gyártása 60 százalékkal termelékenyebb. A szóvivő a fentiekhez még hozzátette, hogy a kis formátumú eszközök maximum 8 GB-os RIMM konfigurációk, valamint 4 GB-os, noteszgépekben használható  SODIMM modulok előállítását teszik lehetővé. Két lapkát tartalmazó tokok használatával 16 GB-os modulok gyárthatók asztali PC-khez és szerverekhez. A Samsung szerint a 2 gigabites eszközök maximum 1,3 Gb/s adatátviteli sebességet támogatnak 1,5 vagy 1,35 volt tápfeszültség használata mellett. A 2 Gbites lapkák gyártása a negyedik negyedévben kezdődik, míg a DRAM technológián alapuló 2 Gbites DDR3 eszközöké 2009-ben.