A Samsung megkezdte a 4 Gbites NAND flash lapkák gyártását
Széll Zoltán, 2005. május 31. 14:54
A Samsung megkezdte a 4 Gigabites NAND flash memória lapkák gyártását. Az új lapkák 70nm-es technológiával készülnek.
A Samsung a 4 Gbites NAND flash memória lapkák fejlesztését 2003 szeptemberben kezdte. A lapkák gyártáshoz 70nm-es technológiát használnak. Az új technológiával a Samsung az ipar legkisebb méretű memória-cellájának gyártására képes. A fejlett technológia és a konstrukciós újítások eredménye, hogy a 70nm-es 4 Gbites NAND flash memória lapka az adatokat 16MB/s sebességgel írja, ami 50 százalékkal gyorsabb, mint a 90nm-es 2 Gbites eszközé. Ezért kiválóan alkalmas a HD videó képek tárolására.
A Samsung azt is bejelentette, hogy az új 4 Gbites NAND flash tároló lapkák az új, 300mm-es szilíciumlapkákat használó gyártó-soron készülnek. A Samsung „Line 14” gyártósor kezdetben 4000 szilíciumszeletet munkál meg havonta, amely 2005 végéig 15000 szeletre (havonta) emelkedik.
A Samsung azt is bejelentette, hogy az új 4 Gbites NAND flash tároló lapkák az új, 300mm-es szilíciumlapkákat használó gyártó-soron készülnek. A Samsung „Line 14” gyártósor kezdetben 4000 szilíciumszeletet munkál meg havonta, amely 2005 végéig 15000 szeletre (havonta) emelkedik.
Kapcsolódó cikkek
- 4 GB-os Samsung mobiltelefonos memóriacsip
- 8 GB Samsung flasmemória mobiltelefonokhoz
- Samsung: 60nm-es, 1Gbites DDR2 DRAM lapka
- 2000 MHz-es Samsung grafikus memória
- A Samsung kész a flash lapkákkal a 32GB-os SSD-hez
- Samsung memória-újdonságok
- Samsung MoviNAND flash modulok sorozatgyártásban
- 8 Gb-es Samsung memóriacsipek 60 nm-es technológiával
- A Samsung erőteljes memóriaáramkör-keresletre és drágulásra számít
- Emelkedésnek indult a flash memória áramkörök ára
Cikkgyűjtő
További fontos híreink
Ingyenes digitális platform segít a tanároknak és diákoknak az érettségire való felkészülésben
2024. április 20. 11:36