A Samsung megkezdte a 128 GB-os DDR4-es memóriamodulok tömeggyártását

forrás: Prím Online, 2015. december 3. 12:34

A Samsung Electronics bejelentette, hogy megkezdi az iparág első, TSV (through silicon via) technológiával készülő, 128 GB-os DDR4-es memóriamoduljának tömeggyártását. A forradalmi megoldást jelentő chipkészletet vállalati szerverek és adatközpontok számára tervezték, és a piac legnagyobb kapacitásával és legmagasabb energiahatékonysági szintjével rendelkezik.

A világelsőként piacra dobott 64 GB-os 3D TSV DDR4 DRAM tavalyi bevezetése után, a Samsung új memóriamodulja ismét hatalmas áttörést jelent, hiszen lehetőséget teremt az ultra magas kapacitású memóriák vállalati szintű felhasználására. A Samsung új, TSV DRAM modulja büszkélkedhet a legnagyobb kapacitással és legmagasabb energiahatékonysági szinttel a piacon, miközben nagy átviteli sebesség mellett is kiváló megbízhatóságot nyújt.

A 128 GB-os TSV DDR4 RDIMM memóriamodulon összesen 144 db DDR4 chip kapott helyet, harminchat, egyenként 4 GB-os DRAM tokozásba rendezve. Mindegyik DRAM chip belsejében található négy darab, 20 nanométer alapú 8 Gb-es chip, amelyek TSV technológiával kapcsolódnak egymáshoz.

 



A hagyományos memóriachipek tokozásán belül a lapkák huzalozva kapcsolódnak egymáshoz, míg a TSV megoldás esetén az egymásra rétegezett szilíciumlapkákon belül kialakított több száz járaton keresztül futnak a vezetékek, a lapkák így vertikálisan csatlakoznak egymáshoz. Amellett, hogy a Samsung 128 GB TSV DDR4 modulja a jelenleg elérhető legnagyobb memória kapacitást és a TSV fejlett áramköreit használja, különleges tervezésének hála az összekapcsolt 4 GB-os chipek mesterlapkája adatbuffer funkcióval is rendelkezik, így optimalizálva a modul teljesítményét és energiafogyasztását.

A fentieknek köszönhetően a Samsung fejlett 128 GB-os TSV DDR4 RDIMM-je egy csökkentett fogyasztású megoldást nyújt az új generációs szerverek számára, amelyek akár a 2400 megabit per másodperces (Mbps) adatátviteli sebességet is elérhetik. A Samsung megoldása az eddigi legnagyobb kapacitású DRAM modulokhoz (például a 64 GB-os LDIMM-hez) képest – amelyek huzalozása korlátozza a teljesítményt és a sebességet – közel kétszeres teljesítményt ér el, miközben 50 %-kal csökkenti az energiafogyasztást.

A Samsung – igazodva az ultra nagy kapacitású DRAM-ok iránti megnövekedett kereslethez – felgyorsította a TSV technológiájú, 20 nanométeres, 8Gb-os DRAM chipek előállítását. Annak érdekében, hogy megszilárdítsa vezető szerepét a prémium memória-megoldások piacán, a Samsung a nagy teljesítményű TSV DRAM modulok teljes skáláját piacra dobja, így már a következő hetekben várható a 128 GB-os terhelés csökkentett DIMM (LRDIMM) modul megjelenése is.

A Samsung a nagy teljesítményű TSV DRAM bevezetésével igyekszik tovább erősíteni piacvezető szerepét. Hamarosan piacra kerülnek olyan megoldások is, amelyek már 2667 és 3200 Mbps-os adatátviteli sebességet is lehetővé tesznek, ezzel elégítve ki a vállalatok egyre gyorsabban növekvő szerver igényét. Emellett a Samsung gőzerővel dolgozik azon is, hogy a TSV technológiát kiterjessze a HBM-alapú és a vásárlóknak szánt termékek piacára is.

 

Kulcsszavak: memória Samsung

Kövess minket a Facebookon!

Cikkgyűjtő

További fontos híreink

Százmillió eurót fektet be az európai mesterséges intelligencia programba a Huawei

2019. november 8. 10:07

Az Antenna Hungária megvásárolta a Telenor Magyarország 25%-át

2019. november 1. 08:32

Idén is keresik az év fiatal vezetőjét!

2019. október 22. 13:26

Újabb mérföldkő a hazai digitális oktatásban

2019. október 10. 18:44
online sportfogadás