Intel: szabad az út az 50 nm-es Samsung DDR2 DRAM előtt

Milkovits Gábor, 2007. július 22. 10:47

A Samsung bejelentette, hogy az Intel elfogadta 50 nm-es DDR2 DRAM memóriacsipjeit saját lapkakészleteivel együttműködő termékekként, így hamarosan megjelenhetnek a számítógépekben.

A dél-koreai gyártó szerint az 1 Gb-es eszköz kétszer olyan olcsón előállítható, mint a szintén 1 Gb-es ám 80 nm-es technológiával gyártott verzió, míg a 60 nm-es eljárással szemben ez az előny 50%. Ez egyúttal azt is jelenti, hogy ugyanakkora ráfordítás mellett kétszer vagy másfélszer annyi DDR2 DRAM lapkát tudnak gyártani, amivel az esetleges hiány is könnyebben kivédhető.

A Samsung az Inteltől kapott zöld jelzés után 2008 első felében kezdi meg a termékek sorozatgyártását, amelyek egyébként 800 megabit/s-os sebességgel kommunikálnak a lapkakészletekkel. A Samsung természetesen következő generációs DRAM csipjeinél is bevezeti majd az 50 nm-es eljárást, beleértve a DDR3, a GDDR4 a GDDR5 és a mobil DRAM termékeket.

Kulcsszavak: Intel Samsung memória

Kövess minket a Facebookon!

Cikkgyűjtő

További fontos híreink

Jön Magyarország legnagyobb e-kereskedelmi konferenciája

2022. január 12. 15:07

Már lehet regisztrálni az NMHH mobilkészülék-csere programjára

2022. január 7. 13:58

Átszámítva közel 40 millió forintot fizettek a világ első SMS üzenetéért

2021. december 21. 17:35

Digitális műtárgyként árverezi el a Vodafone a világ első SMS-ét

2021. december 14. 15:32