Szupergyors NAND flash-t fejleszt az Intel és a Micron

Milkovits Gábor, 2008. február 2. 10:03

Az Intel és a Micron által létrehozott IM Flash Technologies vegyes vállalatnak sikerült olyan NAND flashmemóriát kifejlesztenie, amely a cég állítása szerint ötször gyorsabb, mint a hagyományos NAND eszközök.

A négyrétegű architektúra magasabb órajellel lehetővé teszi, hogy az újfajta NAND flash panelek 200 Mb/s olvasási 100 Mb/s írási sebességet érjenek el. Az egyszintű NAND csipek 40 és 20 megabit/s-ra képesek. Az IM Flash a közeljövőben viszont szeretné látni a technológiát számos eszközben, a flash SSD háttértáraktól és hibrid merevlemezektől a HD videókamerákig.

A cég álláspontja szerint az USB 2.0-nál tízszer gyorsabbra tervezett USB 3.0 szabvány bevezetése után éppen az alapszintű flashmemória korlátozott olvasási sebessége lesz majd az üvegnyak, amely lassítja az ilyen eszközök működését. Éppen ezért az új, többszintű NAND flash termékek megjelenése az IM flash szerint sürgető, habár konkrét időpontokról egyelőre nem tettek említést.

Hardver ROVAT TOVÁBBI HÍREI

A Philips Monitors E1 terméksorozat három új, többcélú modellel bővül

A Philips Monitors E1 sorozata ebben a hónapban három új modellel bővül. Az irodai felhasználók és távmunkában dolgozók számára szükséges összes alapvető funkcióval ellátott új modellek segítenek a felhasználóknak a kapcsolattartásban és növelik a termelékenységüket, mindezt versenyképes áron. 

2024. március 28. 13:27

Kövess minket a Facebookon!

Cikkgyűjtő

További fontos híreink

Megvannak az IAB 2023-as Legjobb szakdolgozat pályázatának nyertesei

2024. március 25. 15:50

A 2024-es év fordulópont lehet az IT munkaerőpiacon?

2024. március 20. 10:09

Nők az informatikában – Számít a nemek aránya a munkahelyen?

2024. március 12. 20:53

Szemünk előtt zajlik az e-kereskedelem mohácsi csatája

2024. március 6. 13:05