Tizenhat gigabájtos, 50 nm-es DDR3 memóriamodulok

Széll Zoltán, 2008. szeptember 29. 12:08

A Samsung bejelentette, hogy megkezdte az 50 nm-es DDR3 eszközök mintáinak szállítását, amelyek a korábbiaknál sokkal energiatakarékosabb, maximum 16 GB kapacitású memóriamodulok gyártását teszi lehetővé.

A vállalat szóvivője elmondta, hogy az 50 nm-es minták, 2 gigabites DDR3 eszközök, amelyek kétszer nagyobb sűrűségűek, mint a mai 1 gigabites lapkák és 40 százalékkal kevesebb energiát igényelnek, mint az elődök. A Samsung szerint a 2 Gbites lapkák gyártása 60 százalékkal termelékenyebb. A szóvivő a fentiekhez még hozzátette, hogy a kis formátumú eszközök maximum 8 GB-os RIMM konfigurációk, valamint 4 GB-os, noteszgépekben használható  SODIMM modulok előállítását teszik lehetővé. Két lapkát tartalmazó tokok használatával 16 GB-os modulok gyárthatók asztali PC-khez és szerverekhez. A Samsung szerint a 2 gigabites eszközök maximum 1,3 Gb/s adatátviteli sebességet támogatnak 1,5 vagy 1,35 volt tápfeszültség használata mellett. A 2 Gbites lapkák gyártása a negyedik negyedévben kezdődik, míg a DRAM technológián alapuló 2 Gbites DDR3 eszközöké 2009-ben.

Kulcsszavak: Samsung memória

Kövess minket a Facebookon!

Cikkgyűjtő

További fontos híreink

Ez a három újdonság határozza meg az online marketinget 2022-ben

2022. január 18. 15:29

Jön Magyarország legnagyobb e-kereskedelmi konferenciája

2022. január 12. 15:07

Már lehet regisztrálni az NMHH mobilkészülék-csere programjára

2022. január 7. 13:58

Átszámítva közel 40 millió forintot fizettek a világ első SMS üzenetéért

2021. december 21. 17:35