40 nanométeres technológiával gyárt memóriát a Samsung

Milkovits Gábor, 2009. február 5. 21:14

A Samsung bejelentette, hogy a világon elsőként 40 nanométeres eljárással sikerült DRAM memóriát gyártania, ami sok szempontból újabb áttörést jelenthet az ágazatban.

A DRAM modulokon található áramkör-egységek további miniatürizációja azzal jár, hogy a csipek azonos teljesítmény mellett kevesebb  energiát fogyasztanak és kevesebb hőt is bocsátanak ki. A technológia emellett felgyorsíthatja az átmenetet a DDR3-ról a DDR4 SDRAM-ra, mint csúcsszabványra – ezt nagy általánosságban egyébként 2012-re várják.

A Samsung egyelőre egy 1 GB-os DDR2 prototípust mutatott be, amely azonban már kompatibilis az Intel GM45 Express noteszgép-lapkakészletével. A 40 nm-es, 2 GB-os DDR3 modult szintén még az idén tervezi bemutatni a Samsung. Jelenleg a DRAM memóriacsipek többnyire 50 nm-es technológiával készülnek, azonban már ezek is gyakran akár 40 százalékkal energiatakarékosabbak, mint elődeik.

Kulcsszavak: Samsung memória tudomány

Kövess minket a Facebookon!

Cikkgyűjtő

További fontos híreink

December elején nyit az első magyar kriptotőzsde

2021. november 30. 21:13

Dr. Charaf Hassan a Vodafone Magyarország Alapítvány kuratóriumának új elnöke

2021. november 18. 16:49

A Magyar Telekom 2021. harmadik negyedévi eredményei

2021. november 9. 21:45

Magyar innováció nyert ezüstérmet az év egyik legfontosabb egészségügyi startup versenyén

2021. október 30. 14:59