Nagyteljesítményű és takarékos új Samsung RAM
Milkovits Gábor, 2010. február 25. 13:45
A Samsung olyan új memóriaegységek gyártását kezdte meg, amelyek többek között a 40 nanométeres technológiának köszönhetően az eddiginél nagyobb teljesítményű DDR3 RAM modulok építését teszik lehetővé.
Fontos szempont, hogy a fejlettebb gyártástechnológiának köszönhetően az új memória a Samsung korábbi, 2 gigabites Green GDDR3 eszközeinek 55 wattjával szemben is mindössze 36 wattot fogyaszt, nem is beszélve a régebbi modulokról. A Samsung szerint, ha egy szerveren az új egységekre cserélik a régi DDR2 memóriát, akkor akár a teljes áramfogyasztás 10 százalékét megspórolhatják a jövőben. A forgalmazással kapcsolatban a gyártó egyelőre nem nyilatkozott, de nyilvánvalóan igen magas árra lehet majd számítani a termékeknél, legalábbis kezdetben.
Kapcsolódó cikkek
- Gyorsabb és energiatakarékosabb mobilok Samsung PCM memóriával
- 32 GB-os Samsung memóriacsipek 30 nm-es technológiával
- A Samsung egyelőre nem számít a memóriaáramkör piac fellendülésére
- 40 nanométeres technológiával gyárt memóriát a Samsung
- Tizenhat gigabájtos, 50 nm-es DDR3 memóriamodulok
- Kikosarazta a Samsungot a SanDisk
- A Samsung kész a 64GB SATA II SSD tárolókkal
- A Samsung 6Gbps GDDR5 grafikus memóriát fejleszt
- Új generációs flash chipek a Samsungtól
- Intel: szabad az út az 50 nm-es Samsung DDR2 DRAM előtt
Kövess minket a Facebookon!
Cikkgyűjtő
További fontos híreink
Diákokat, női vezetőket és roma fiatalokat is támogatnak a Morgan Stanley munkatársai
2023. szeptember 18. 13:16
Hat érmet hoztak haza a magyar diákok a Nemzetközi Informatikai Diákolimpiáról
2023. szeptember 4. 15:38