A Japán NTT Kutató Laboratórium az "egytranzisztoros" eszközökről tart előadást, amelyek mára valósággá váltak. Az egyelektronos tranzisztorokat használják az első elemi áramkörökhöz. A fejlesztőcsapat az áramkör gyártásához SOI (silicon-on insulator = szilícium szigetelőn) eljárást és függőleges mintafüggő oxidációs technikát használt. Mikor az eszköz 25 Kelvin fokon működik, végrehajtja az alap aritmetikai számításokat.

A Kalifornia Egyetem (Berkeley) kutatói bemutatják a világ legkisebb tranzisztor vezérlőelektródáját, amelynek mérete 20 nm, amelyet egy ultra-vékony - 140 angström - SOI réteggel kombinálták.

A sebességverseny is folytatódik. A Hitachi kutatói elkészítették a világ leggyorsabb bipoláris tranzisztorát, amely 180 GHz-es frekvenciával működik. A tranzisztorokból felépített ECL kapu késleltetési ideje 6,7 pikoszekumdum. A 200 nm-es tranzisztor építéséhez SiGe ötvözetet használtak, amely kompatibilis a szabványos CMOS architektúrával.

A kanadai Simon Fraser Egyetem kutatói egy InPh (indium foszfid) alapú hetero-struktúrájú bipoláris tranzisztort fejlesztettek, amely 40 Gbit/mp üvegszálas optikai hálózatokban használható. Az eszköz csúcsfrekvenciája 250 GHz. Ez jelenleg a leggyorsabb heterostruktúrájú tranzisztor.

A Cambridge University kutatói műanyag vékonyfilm tranzisztorokat mutatnak be, amelyek nagy felbontású tintasugaras nyomtatókban használhatók.