A Samsung Electronics megkezdte az iparág első, négy gigabájtos (GB) dinamikus RAM-jának (DRAM) tömeggyártását. Az új DRAM a második generációs High Bandwidth Memory (HBM2) szabványon alapul, így a nagyteljesítményű számítástechnikában (HPC), a fejlett grafikai és hálózati rendszerekben és a vállalati szervereknél egyaránt használható.
A Samsung új HBM megoldása egyedülálló, a jelenlegi felső sebességhatárnál hétszer gyorsabb DRAM teljesítményt biztosít. Ezáltal megnő a magas színvonalú számítástechnikai műveletek, így a párhuzamos számítási folyamatok, a grafikai renderelés és a gépi tanulás reszponzivitása.
„Az új HBM2 DRAM tömeggyártásával hozzájárulunk, hogy a globális IT vállalatok minél gyorsabban adaptálják az új generációs HPC rendszereket – nyilatkozta Sewon Chun, a Samsung Electronics Memória divíziójának marketing alelnöke. – Azáltal, hogy ezen a területen is alkalmazzuk a 3D-s memória technológiát, jóval proaktívabban tudunk megfelelni a globális IT piac sokoldalú elvárásainak, és nem utolsó sorban megalapozzuk a DRAM piac jövőbeli növekedését is.”
Az újonnan bemutatott 4 GB-os HBM2 DRAM a Samsung leghatékonyabb, 20 nanométeres feldolgozási technológiáját ötvözi a fejlett HBM chip tervezéssel. Ezáltal tökéletesen illeszkedik az új generációs HPC rendszerekhez és grafikai kártyákhoz, hiszen maradéktalanul kielégíti a nagy teljesítményre, energiahatékonyságra, megbízhatóságra és a kis méretre vonatkozó piaci igényeket.
A Samsung 128 GB-os 3D TSV DDR4-es regisztrált kétsoros memória modul (RDIMM) tavaly októberi bemutatását követően, a HBM2 DRAM egy újabb mérföldkövet jelent a TSV DRAM technológia területén.
A 4 GB-os HBM2 készletbe egy nagy sebességű gyorsítótárat és négy darab 8 gigabites (Gb) memóriaegységet integráltak. Ezek vertikálisan, TSV szabványú csatolókkal kapcsolódnak egymáshoz. Egyetlen 8 Gb-es HBM2 lapka több mint 5000 ilyen TSV-t tartalmaz, ez harminchatszor több, mint amit a 8 Gb-es TSV DDR4 lapka esetében használtak. Ez az újítás egy átlagos huzalkötéses készlet adatátviteli teljesítményéhez viszonyítva drámai fejlődést eredményez.
A Samsung új DRAM-ja elődjéhez, a HBM1 DRAM-hoz képest kétszer nagyobb, 256 GB/s sávszélességgel bír. Ez a teljesítmény a jelenlegi leggyorsabb, 36 GB/s sávszélességű 4Gb-es GDDR5 DRAM lapka átviteli sebességéhez (9Gb/s) viszonyítva több mint hétszer nagyobb. A Samsung 4 GB-os HBM2 lapkája fokozza az energiahatékonyságot azáltal, hogy megduplázza a 4Gb GDDR5-alapú lapka sávszélesség/watt teljesítményét. A beágyazott ECC (error-corecting code / hibajavító kód) funkciónak köszönhetően pedig a nagyfokú megbízhatóság is garantált.
A Samsung ez évi tervei között szerepel egy 8 GB-os HBM2 DRAM készlet bevezetése is, amely a GDDR5 DRAM-okhoz képest 95 százalékos helymegtakarítást tesz lehetővé. Így a Samsung egy még inkább testreszabott megoldást kínál majd az olyan nagyteljesítmény-igényű, kompakt grafikus eszközökkel dolgozó felhasználói számára, mint például a dizájnerek.
A hálózati rendszerek és szerverek iránti növekvő kereslet kielégítése érdekében a vállalat az év hátralévő részében folyamatosan növeli HBM2 DRAM gyártásának volumenét, illetve a HBM2 DRAM termékcsalád is bővül. A Samsung így továbbra is élen járhat a nagyteljesítményű számítástechnikai eszközök piacán, illetve megszilárdíthatja vezető pozícióját a prémium memória modulok gyártásában is.