A legújabb internetböngésző telefonoknak és a rövidesen megérkező 3. generációs telefonoknak több illékony és több nem illékony memóriára lesz szükségük az új szolgáltatásokhoz. Ezért a mobiltelefon-gyártók növelik az eszközök memóriasűrűségét, ugyanakkor minimumra csökkentik az energiaigényt és a költségeket.

Az egyik vezető NAND-típusú flashmemória-gyártó a Samsung, az elkövetkező években jelentős piacnövekedésre számít a mobiltelefon-szegmensben. A vállalat szakemberei úgy vélik, hogy a 2000-ben 420 millió darabos piac folytatja évi 30%-os növekedését. A Samsung becslése szerint a 3G telefonok forgalma 2003-ban eléri az 50 millió darabot.

A Samsung már megkezdte a 8 Mbites SRAM és a 64 Mbites NAND memórialapkák szállítását többlapkás tokban. A memórialapkák 8x13x1,2 mm-es BGA tokban kaphatók 69 jelvezetékkel. Az elkövetkezõ években a Samsung a SRAM lapkák kapcitását 64 Mbitre, a NAND-típusú flashlapkák kapacitását 512 Mbitre növeli.

Az MCP készlet 2,4-3,0 volt tápfeszültséggel működik. A 0,18 mikronos technológiával gyártott 8 Mbites SRAM lapka elérési ideje 85 ns. A NAND-típusú lapka elérési ideje hosszabb, mint a NOR flash lapkáké. Elsősorban az első adat elérési ideje hosszú: 50 mikroszekundum, de a következő adat kiolvasásához már csak 50 ns-ra van szükség. A NOR flashnél ez 70 ns és max. 150 ns.