Az Intel fejlesztői úgy gondolják, hogy az újgenerációs mobilmemóriák esetében a két legfontosabb kritérium a nagy adattároló kapacitás és a nagy teljesítmény, ugyanis napjaink elektronikus berendezései már olyan képességekkel rendelkeznek, hogy a szűk keresztmetszetet általában éppen a memóriamodulok jelentik. Ugyancsak fontos szempont az Intel szerint, hogy az új memóriáknak a merevlemezekhez hasonlóan akkor is meg kell majd tartaniuk a bennük tárolt adatokat, ha nem kapnak áramot, de ez azt hiszem teljesen magától értetődő dolog.
Az Intel mérnökei szerint jelenleg három olyan ígéretes technológia létezik, melyek nagy valószínűséggel beváltják majd a hozzájuk fűzött reményeket. A mostani bejelentés kapcsán elsőként a műanyag memóriák, vagyis a PFRAM-ok (Polimer Ferroelektromos RAM) kerültek említésre, majd szó esett az OUM (Ovonics Unified Memory) modulok alkalmazásának lehetőségéről, melyekben az újraírható CD-k esetében használatos anyagokat alkalmaznak a kutatók, végül pedig a mágneses elven működő memóriákról, vagyis az MRAM-okról is említést tettek az Intel képviselői.
Egyelőre még nem tudni, hogy az említett három memóriatípus közül melyik lesz majd a befutó, mindenesetre az Intel olyan új generációs mobilmemóriákat szeretne a közeljövőben piacra dobni, melyek a szinkron RAM-ok nagy adatsűrűségét és gyors írási-olvasási képességét, a dinamikus RAM-ok olcsóságát és a flashmemóriák minden előnyét magukénak tudhatnák. Egyesek szerint a három memóriatípus közül talán az OUM memória a legígéretesebb, mert ennek a legalacsonyabbak a gyártási költségei, és más memóriatípusokkal való integrációja is viszonylag könnyen megoldható.