Az Infineon új Si-Ge:C elnevezésű gyártástechnológiája a társaság szerint 10 - 30 százalékkal magasabb működési frekvencia elérését teszi lehetővé, mint a rivális cégek hasonló megoldásai. Az eljárás, amely elsősorban a különféle kommunikációs chipekben kerülhet alkalmazásra, akár 200 GHz-es órajel, illetve 40 gigabit/másodperc vonalsebesség elérésére is módot ad a társaság számára.

A müncheni központú társaság kutatói a technológiát egy 110 GHz-en működő dinamikus frekvenciaosztó, egy 86 GHz-es statikus frekvenciaosztó, és egy 95 GHz-es feszültség vezérelt oszcillátor bemutatásával jelentették be. Az Infineon emellett egy autókba szánt, 77 GHz-es integrált radaregységet is bemutatott, amely szintén a Si-Ge:C technológiára épült.

"Ezek a kutatási eredmények kiemelik az Infineon Technologies elkötelezettségét azon technológiai fejlesztések terén, amelyek eredményeként megszülető megoldások a következő generációs nagyteljesítményű elektronikai eszközökben helyet kaphatnak majd" - mondta Werner Simbuerger, az Infineon Technologies nagyfrekvenciás áramkörök fejlesztésével foglalkozó divíziójának egyik vezetője. "Ezen 100 GHz-nél is magasabb órajelen működő alkatrészek lehetővé teszik partnereink számára, hogy a nagysebességű kommunikációs megoldások egy új generációját alkossák meg a közeljövőben" - tette hozzá Simbuerger.