Az IBM az alacsony fogyasztású mobiltelefon-chipekhez olyan gyártási eljárásokat, megoldásokat kapcsolt össze, amelyeket a kutatók ezidáig nem tudtak egymással kombinálni. A társaság új megoldása lehetővé teszi a szilícium-germánium bipoláris tranzisztorok alkalmazását a Silicon-on-Insulator (SoI - Szilícium a Szigetelőn) technológiával készülő chipekben. A SoI technológiát a kutatók korábban csak a CMOS (Complementary Metal Oxide Semiconductor) eljárással készülő chipekben alkalmazták, mint amilyenek például a számítógép-processzorok.

Az új eljárás segítségével a tervezők számos olyan áramköri elemet építhetnek a mobiltelefon-chipekben, amelyre korábban nem volt lehetőség, ezért nagyobb fogyasztást eredményező helyettesítő megoldások alkalmazására volt szükség, mondta Tak Ning, az IBM Watson Research Lab kutatóközpontjának egyik szakértője. "Olyan megoldásokat fejlesztünk ki, amelyekkel a kutatók újszerű áramköröket alkothatnak" - mondta Ning.

Az IBM szerint az új megoldásra épülő chipek piaci megjelenésére azonban még körülbelül öt évet kell várni. A technológia a jövőben a fejlett képességekkel rendelkező mobiltelefonok mellett olyan megoldásokba is bekerülhetnek, mint az intelligens autóirányítási rendszerek, és az autós ütközéskivédő megoldások.

A hatékony energiagazdálkodás kérdése a kisméretű mobil eszközök térhódítása miatt az utóbbi időben egyre fontosabb kérdéssé vált a processzorgyártók számára, amelyek korábban leginkább csak az egyre magasabb órajeltartományok meghódítására koncentráltak.