A japán memóriagyártó szóvivője elmondta, hogy az SDR DRAM olyan kivezetéseket tartalmaz, amely lehetővé teszi olcsó integrálásukat a többlapkás tokokba és "rendszer egy tokban" (SIP = system-in-package) konstrukciókba. Az Elpida a 2,5G és 3G mobil telefonokban használt CPU-khoz már gyárt és szállít 128 Mbites, valamint 256 Mbites memórialapkákat, amelyek növelik az adatcentrikus alkalmazások teljesítményét. Ezek a CPU-k a mobiltelefonokban hagyományosan NOR flash és SRAM vagy látszólagos SRAM memórialapkákat használnak. Az új 64 Mbites Elpida mobil RAM eszköz megfelel az új alapsávú CPU-k igényeinek.

Az SDR mobil RAM eszköz 1 Mword x 16 bit x 4 bank szervezésű. A 100 MHz-es változat 1,8 V tápfeszültséget használ, míg a 133 MHz-es változat 2,5 V-ost.

Az Infineon 512 Mbites NAND flash memória az első olyan lapka, amelyhez a "Twin Flash" technológiát használják. A vállalat az flash lapkákat Drezdában (Németország) gyártja 200 mm-es szilíciumlemezeken. A TwinFlash technológia lehetővé teszi a flash lapkák gyártását a már meglévő berendezéseken, amelyeket DRAM lapkák gyártáshoz használtak. A TwinFlash 40 százalékkal csökkenti a lapkák méretét. A technológia használati jogát a Saifun vásárolta az Advanced Micro Devices cégtől. Ez a technológia oxid-nitrit-oxid dielektrikumot használ a töltések tárolásához. Az Infineon havonta 10 000 darab szilíciumlemez feldolgozását tervezi, amelyeken kezdetben 170 nm-es technológiával gyártják a memórialapkákat, majd később áttérnek a 110 nm-es technológiára, amely 2 Gbites lapkák előállítását teszi lehetővé.