IBM- és MD-mobilfejlesztés

Széll Zoltán, 1999. november 1. 17:08
Az IBM és az RF Micro Devices Inc. a jövőben közösen fejleszt az IBM SiGe (szilícium/germánium) technológiáján alapuló rádiófrekvenciás integrált áramköröket (RFIC) következő generációs mobiltelefonokhoz.
Ez az együttműködés várhatóan jelentős mértékben csökkenti a chipek számát a vezeték nélküli kézieszközökben, ami egyszerűsíti és lerövidíti tervezési idejüket. A SiGe technológiával a "tiszta" szilíciumchipeknél gyorsabb - a tranzisztorok határfrekvenciája 100 GHz fölött van - integrált áramkörök állíthatók elő alacsonyabb áramfelvétel mellett. A kis energiaigény a korábbiaknál nagyobb integráltságú, több funkciót tartalmazó chipek gyártását teszi lehetővé, ami csökkenti a mobileszközök méretét és súlyát.