Egy gigabites Intel NOR flash memória, többszintű cellákkal
Széll Zoltán, 2006. november 12. 07:58
Az Intel megkezdte az ipar első 1Gbites NOR flash memória lapkáinak szállítását, amelyek az MLC (Multi-level Cell = többszintű cella) technológián alapulnak. Az új tároló lapkák 65nm-es technológiával készülnek.
A most bevezetett új tároló komponensek az Intel StratFlash (M18) architektúrán alapulnak, és a megapixeles kamerákat, valamint a videó és nagy sebességű adatátviteli képességeket tartalmazó multimédiás telefonokat veszik célba. Jelenleg a mobil telefonokban NAND architektúrájú tároló eszközöket használnak, mivel ezek magasabb cella- és tömb sűrűséggel rendelkeznek, de ma már NOR architektúrával is készíthetők gigabit kapacitású lapkák. Ezek nagy előnye, hogy gyorsabbak, mint a NAND lapkák, ami lehetővé teszi a használatukat játékokhoz is.
Az Intel képviselője elmondta, hogy az új alkatrészeket az ipar 10 legelterjedtebb lapkakészletéhez hitelesítették, és a Sony Ericsson és Infineon Technológies cégekkel közösen dolgoznak az eszközök fejlesztésén. Az alacsony energia-felvételű, 65nm-es lapkák kompatibilisek az 512Mbites, 90nm-es lapkákkal, amelyeket a gyártó 2005.-ben vezetett be.
Az 1,8V tápfeszültséget használó 65nm-es lapkák olvasó sebessége hasonló a 90nm-es lapkákéhoz, de író sebességüket 0,5MB/s értékről 1,0MB/s értékre növelték. A lapka területe 33%-kal mint a Spansion 1Gbites Mirrorbit lapka.
Az 1Gbites NOR lapkák tömeggyártása a negyedik negyedévben kezdődik. A jövő évben az Intel az M18 család 512Mbit, 256Mbit és 128Mbit kapacitású 65nm-es változatát is bevezeti.