A 80 nm-es technológiával készülő termék a gyártó állítása szerint 20%-kal vékonyabb, mint a jelenlegi, két 512 MB-os modult tartalmazó gigabites mobil DRAM megoldások. A csip olyan hőérzékelő alkalmazással van ellátva, amelynek segítségével készenléti állapotban akár 30%-kal is csökkenhet az energiafogyasztás. A Samsung részéről úgy vélik, hogy az 1 gigabites DRAM lapka jóval költséghatékonyabb lehet majd, mint az eddig használt mobil memóriacsipek.

Az új 1 gigabites DRAM csipet mobiltelefonokba, PDA-kba, digitális fényképezőgépekbe, mp3 lejátszókba, és más hasonló készülékekbe szánja a gyártó. A sorozatgyártás várhatóan 2007 második negyedévében indul.