A beágyazott DRAM (eDRAM) az IBM saját adatai szerint lehetővé teszi, hogy egy adott méretű csipen az eddigihez képest alig harmad-akkora helyet foglaljon el a memóriamodul, az energiafelhasználás pedig ötödére csökkenhet készenléti állapotban. Szemléletes példa, hogy egy tipikus mai processzor, például az Intel Core 2 Duo esetében a memória a lapka felületének 60%-át foglalja el, így az eDRAM révén valóban jelentős méretcsökkenést – vagy teljesítménynövekedést - lehet elérni. Az IBM mérnökeinek sikerült olyan DRAM memóriát kifejleszteni, ami majdnem olyan gyors, mint az SRAM. Miközben az újfajta DRAM alig néhány százalékkal lassúbb, az a tény, hogy egy adott csipen háromszor annyi fér el belőle, hatalmas teljesítménynövekedést ígér rendszerszinten.

Az IBM egyelőre egy 65 nm-es prototípust mutatott be, ám a sorozatgyártást már jövőre, a 45 nm-es technológiával készülő új Power processzorokkal szeretné megkezdeni a kék óriás. Egyes elektronikai cégek, például az NEC reményüket fejezték ki, hogy az eDRAM energiatakarékosságának köszönhetően az új memóriás lapkák előbb-utóbb utat találnak a hordozható készülékekbe is.