A Choi Hee-cheul és Kim Hyun-tak vezette csapatnak sikerült ugyanis 10 nm-es félvezető-struktúrákat alkotnia, holott eddig legfeljebb 32-22 nm-es méretcsökkentést tartottak megvalósíthatónak. Az áttörést azáltal tudták kivitelezni, hogy a mostanában egyre szélesebb körben terjedő szén nanocső technológiát alkalmazták. Az eljárást kiaknázó első termékek, az úgynevezett NRAM memóriamodulok még az idén forgalomba kerülhetnek; a gyors és energiatakarékos termékeket a DRAM leváltására szánják. Emellett a Seagate valószínűleg szintén alkalmazni kívánja a szén nanocsöveket egyre nagyobb kapacitást igénylő merevlemezes meghajtóiban, a flash szegmensben viszont a koreai kutatók az úttörők. A 10 nm-es prototípus félvezető egy újfajta alapanyagot, úgynevezett „Mott-szigetelőt” tartalmaz, amely Kim szerint gyakorlatilag egy pillanat alatt képes vezetőből szigetelővé átalakulni.

Kim és Choi szerint az általuk elért áttörés a jövőben akár 100 GB kapacitású flashmemória-kártyák gyártását is lehetővé teszi, miközben a jelenleg kapható termékek maximum 8 GB-ra képesek. A kutatók azt is elmondták a sajtónak, hogy már megkezdték az együttműködést a gyártásban és forgalmazásban érdekelt, meg nem nevezett amerikai cégekkel.