Az első SRAM egytranzisztoros tárolócellával
Széll Zoltán, 2000. január 6. 22:21
A Mosys Inc. és a Galileo Technology Inc. bejelentette: a Galileo licencelte a MoSys 1T-SRAM technológiáját, hogy felhasználja azt a nagy teljesítményű memóriát igénylő Ethernet kapcsolókhoz és egyéb system-on-chip (SoC) termékekhez.
A Galileo az új termékeihez nagy teljesítményű, magasan integrált adatkommunikációs IC-ket fejleszt, amelyeket az 1T-SRAM technológiával kombináltak. Az 1T SRAM tároló IC-ket beépítették a most bejelentett GT-48 350 és GT-48 360 kapcsolókba. A MoSys 1T-SRAM memóriatechnológiával jelenleg már készülnek az első 128 Mbites SRAM tárolók. Ez a technológia a hagyományos 6 tranzisztoros tárolócellák helyett 1 tranzisztoros cellákat használ, amellyel azonos nagyságú szilíciumfelületen több mint ötször nagyobb memóriakapacitás elhelyezése válik lehetővé. Ezzel megnyílt a lehetőség, hogy a CPU-k mellé ugyanarra a chipre a korábbiaknál 5-6-szor nagyobb L1 és L2 gyorsítótárakat integráljanak. A CPU-hoz nagyon széles buszokkal csatlakoztatható teljes sebességű gyorsítótárak jelentős mértékben növelik a processzor teljesítményét.