A SiGe és a CMOS eljárás egyesül
Széll Zoltán, 2000. január 17. 18:37
A Lucent Technologies a 0,25 mikrométeres szilícium-germánium (SiGe) eljárást, melyet a hálózati és vezeték nélküli alkalmazásokhoz használnak, négy további maszk használatával kombinálja a CMOS eljárással. Az egész folyamat csak egy maszkkal igényel többet, mint a BiCMOS eljárás.
A SiGe npn tranzisztorok határfrekvenciája több mint 70 GHz. A Lucent a SiGe eszközöket el tudja helyezni egy chipen egy DSP maggal, RF blokkokkal, memóriablokkokkal és egyéb szilíciummagokkal a SOC (System-on-Chip) eszközökben. A SOC eszközök hasonló könyvtár- és makrocellákat használnak, mint a Lucent szabályos 0,25 mikronos eljárás. A SiGe chipek 2,5 vagy 3,3 voltos tápfeszültséggel működnek, egy további maszklépés támogatja a két feszültséggel történő működést a kevert jelű (digitális, analóg) chipeken. A Lucent a SiGe alapú CMOS technológiát 2000 második negyedévében vezeti be.