Csak összehasonlításképpen, a jelenlegi 40 nanométeres eljárással készülő, 32 GB-os NAND flash moduloknál 25-ször kisebb memóriaegységek 1 terabájt, azaz 1000 gigabájt adatot fognak tudni tárolni, a kutatást vezető Choi Yang-kyu professzor szerint tíz éven belül. Ez a teljesítmény mintegy 1250 DVD filmnek, 500 ezer mp3 fájlnak, vagy 1 millió nagyfelbontású digitális fényképnek felel meg. Az áttörést azáltal sikerült elérni, hogy sikeresen ötvözték a szilícium-technológiát a mostanában sok más területet is forradalmasító szénszálas nanocsöves eljárással. A prototípus 8 nm-es memóriacella egy szilícium-oxid, egy nitrid és egy újabb szilícium-oxid réteget tartalmaz, amelyek alatt találhatók a vékony nano-szálacskák.    

Choi Yang-kyu professzor a sajtónak elmondta, hogy a további évtizedes fejlesztésre azért van szükség, mert egyelőre megoldásra vár a közvetlenül elmentett adatok tárolására használt terület ideális méretűvé zsugorításának problémája. Cserében viszont, ha Choi becslése helytálló, egy évtized múlva eltűnhetnek a hordozható eszközökkel kapcsolatos memóriagondok.