A Samsung újítása az úgynevezett „Phase Change Memory” („fázisváltó memória – PCM”) technológián alapul. Ennek lényege az, hogy egy germánium, antimon és titán ötvözetből létrehozott, üvegszerű anyag alkotja a memóriacsipen az adattároló réteget. Az ötvözet elektromos vezető tulajdonságai hő hatására teljesen megváltoznak, így az ilyen réteg alkalmas a bináris 0-kat és 1-eseket reprezentáló, eltérő elektromos töltések hordozására. A Samsung által kifejlesztett, 512 megabites PCM modulok egyes esetekben akár tízszer, általában pedig háromszor gyorsabb adatfeldolgozásra képesek, mint a hagyományos flash memóriaegységek. Emellett annyival kevesebb energiát igényelnek, hogy akár 20 százalékkal meghosszabbíthatják velük a csipet használó mobilok egy akku-feltöltéssel való használati idejét.

A Samsung PCM találmányának további előnye, hogy teljes mértékben kompatibilis a jelenleg gyártott, 40 nanométeres flash komponensekkel, azaz a gyártásra történő átállás a lehető legegyszerűbb. A PCM technológiát amúgy nem a Samsung találta föl, viszont ők az elsők, akik ezen alapuló okostelefonos memóriamodult, illetve az ezt tartalmazó integrált csipet megalkották. Azt, hogy az új típusú memória mikor jelenik meg a készülékekben, egyelőre nem közölte a dél-koreai cég.