A Fujitsu 0,11 mikronos technológiája, melyet 2001 harmadik negyedévében lehet majd megvásárolni, STI technikákat, kémiai-mechanikai fényezést és CoSi2 tranzisztorkaput és forrást használ. A kezdeti termékek, amelyeket a mély szubmikron-folyamattal gyártottak, 56 millió gate-chipnyi eszközt lesz képes használni. A kapukat 0,85 és 1,65 V feszültséggel látják el, továbbá 2,5 vagy 3,3 V analóg és I-O blokkal. A csomópont hőmérséklete -40 és 125 C-fok között van. A sűrűség kétszerese az ASIC-énak, amit a Fujitsu 0,18 mikronos technológiájával készítettek.

A Fujitsu 0,11 mikronos technológiájának energiakövetelménye 2nW/MHz/gate 1,2 V-nál. A technológia az ipar legkisebb memóriacelláit használja, melyek csak 2 négyzetmikronnyiak. Ezeket a 6 tranzisztoros SRAM használja. A DRAM 0,2 mikronosokat használ.

CS91/CE91, az első 0,11 mikronos termék

A Fujitsu új technológiáját használó első termékei a nagy sűrűségű Standard Cell CS91 és a TAT elrendezésű CE91 ASIC sorozat lesznek. A CS91/CE91 nagy teljesítményű analóg elemeket fog használni, például ADC-t, DAC-ot, memóriakompilátorokat egy- és kétportos SRAM-hoz, ROM-ot és regiszterfájlokat. Az első eljárásterv az év végére várható. Kezdeti I/O beállítások, memóriablokkok és kevert jelmakrók lesznek benne. A teljes eljárásterv, melyben már a nagy sebességű CS91Z kapuk, memóriakompilátorok, I/O interfészek (LVDS, SSTL 2, HSTL), különleges célú I/O-k (PCI, USB, grafika) is benne lesznek, a jövő év második felében jelenik meg. A multi-gigabit interfészek, köztük a SONET és az InfiniBand is elérhetők lesznek.

A Fujitsu egy beépített DRAM-ot is tervez, a CS90DLS-t, ami több mint 192 MB DRAM-ot fog biztosítani, 100 négyzetmilliméteres területen. Az órajele az SDRAM-nál eléri a 200 MHz-et, a Fujitsu FCRAM-jainál a 300 MHz-et is. A CS91-CE91 BGA csomagolású lesz.