Flash memória 3G-s mobilokhoz

Széll Zoltán, 2000. június 22. 11:13
Az AMD bejelentette a 32 Mbites Am29BDS323 és 64 Mbites Am29BDS643 flash memória eszközöket, amelyeket a mobiltelefonok következő generációiban (3G) használnak majd.
A vállalat az olvasás/írás architektúrát kombinálta a nagy teljesítményű Burst móddal. Utóbbi képesség megengedi, hogy a mikroprocesszorok magas teljesítményszinten működjenek, csökkenti a memóriából az adatok olvasása miatt igényelt várakozási állapotok számát.