Az Intel a tervek szerint megkezdi az első félvezető gyár építését, amely 450 mm-es Si ostyákat dolgoz fel. A vállalat 2 milliárd dolláros ráfordítással kibővíti a D1X gyárat Hilsboroban (Oregon USA). A dedikált 450 mm-es modul 2-vel az Intel már előretekint a sorozatgyártásra. Ha az építkezés kész és a 450 mm-es gyártóberendezések és készülékek is rendelkezésre állnak, akkor a próbagyártás 2015-ben megindulhat a 10 nm-es technológiával.
„Mi közel 2 milliárdos beruházással 2013-ban megkezdjük az első 450 mm-es (D1X module 2) fejlesztőüzem építését. Előre tekintünk 2015-re, amikor reményeink szerint a 450 mm-es készülékek kaphatók lesznek és megkezdjük a gyártást. A sikeres gyors váltás érdekében mi már most megkezdjük egy nagy fejlesztőgyár építését. Az építés az éves ciklushoz csatlakozik,” mondta Stacy Smith CFO (Intel).
Az Intel jelenleg a D1X fejlesztőgyárban 300 mm-es Si ostyákat használ a 14 nanométeres gyártástechnológia fejlesztéséhez. Ezzel a technológiával az év végén indul a mikroprocesszor-lapkák gyártása.
A D1X modul 2, amely hasonló méretű (1,1 millió négyzetláb, 106,1 ezer m2) mint az eredeti D1X Fab és kimondottan a 450 mm-es Si ostyákhoz építik. Amikor a második modul elkészül, indulhat a 450 mm-es berendezések és készülékek szerelése a megfelelő gyártó eszközökkel együtt, majd indulhat a kísérleti gyártás.
„Mi még nem specifikáltuk a D1X modul 2 ütemezését. Azért kezdjük meg a 450 mm gyár építését, hogy ki tudjunk próbálni néhány korai fejlesztő-készüléket, de gyártásra nem kerül sor ebben az időben,” mondta Chuck Mulloy az Intel egyik szóvivője.
URL: www.xbitlabs.com