Samsung: 12 Gb-es LPDDR4 DRAM
forrás: Prím Online, 2015. szeptember 10. 08:33
A Samsung bejelentette az iparág első, a fejlett 20 nanométeres gyártási technológián alapuló 12 gigabites LPDDR (low power, double data rate 4) mobil DRAM tömegtermelését.
A legújabb LPDDR4 révén várhatóan világszerte jelentősen felgyorsul a nagy kapacitású mobil DRAM-ok elterjedése. A 12 Gb-os LPDDR4 a DRAM chipek között a jelenleg elérhető legnagyobb kapacitást és legmagasabb sebességet nyújtja, miközben energiahatékony, megbízható és könnyen kezelhető – vagyis rendelkezik minden olyan tulajdonsággal, amelyet az új generációs mobileszközök fejlesztése megkíván.
A 12 Gb LPDDR4 DRAM 4,266 megabit/másodperces (Mbps) adatkezelési sebességével több mint 30%-kal gyorsabb, mint elődje, a 20nm technológiával gyártott 8Gb-es LPDDR4, és kétszer olyan gyors, mint a PC-khez használt DDR4 DRAM – miközben 20%-kal kevesebb energiát használ fel a működéséhez. A gyártási termelékenység is több mint 50%-kal nőtt a 20nm-es osztályú 8Gb LPDDR4-ével összevetve, amely tovább növeli a nagyobb memóriakapacitás iránti keresletet a csúcskategóriás mobileszközök esetében.
A 12 Gb-es LPDDR4 3 gigabájtos (GB) illetve 6GB-os mobil DRAM-ok előállítását teszi lehetővé kettő illetve négy chip alkalmazásával – ez az egyetlen olyan megoldás, amellyel 6GB kapacitású LPDDR4 egység állítható elő. A következő generációs csúcskészülékekben a 6GB kapacitású LPDDR4 mobil DRAM a legfrissebb OS környezetben is zökkenőmentes multitaskingot és maximális teljesítményt biztosít a felhasználóknak, ráadásul a 12Gb LPDDR4-nek köszönhetően a 6GB-os egység könnyedén elfér a jelenleg kapható 3GB-os LPDDR4 egységek helyén, megfelelve a fejlett mobileszközök gyártása során jelentkező tervezési kompatibilitással és gyártási hatékonysággal szemben támasztott igényeknek.
A Samsung várakozási szerint az LPDDR4 mobil memóriákban rejlő lehetőségeknek köszönhetően a felhasználási terültetek is kiterjednek majd a következő években okostelefonokon és a tableteken túl az ultra vékony PC-kre, digitális készülékekre és autóipari eszközökre.
Kapcsolódó cikkek
- Megkezdte a harmadik generációs V-NAND flash memóriák gyártását a Samsung
- Árkartell miatt 331 millió eurós bírság tíz memóriachip-gyártónak
- Súlyos pénzbüntetés vár Európában a flashmemória árkartell tagjaira
- Gyorsabb és energiatakarékosabb mobilok Samsung PCM memóriával
- Nagyteljesítményű és takarékos új Samsung RAM
- 32 GB-os Samsung memóriacsipek 30 nm-es technológiával
- A Samsung egyelőre nem számít a memóriaáramkör piac fellendülésére
- 40 nanométeres technológiával gyárt memóriát a Samsung
- Tizenhat gigabájtos, 50 nm-es DDR3 memóriamodulok
- Kikosarazta a Samsungot a SanDisk