A Samsung az iparágban elsőként megkezdi a 10 nanométeres FinFET technológiát alkalmazó egylapkás rendszerek gyártását

2017 első felében bemutatkozik a világ első olyan fogyasztói terméke, amely az új 10 nanométeres FinFET technológiát használja

forrás: Prím Online, 2016. október 19. 07:50

A Samsung Electronics, a fejlett félvezető-technológia vezető gyártója ma bejelentette, hogy az iparágban elsőként megkezdte a 10 nanométeres (nm) technológiájú egylapkás rendszerekre (System-on-Chip, SoC) épülő termékek tömeggyártását.

Az piac első FinFET mobilalkalmazás-processzorának 2015 januári sikeres tömeggyártását követően a Samsung újabb termékekkel erősíti tovább piacvezető pozícióját a tömeggyártásra szánt csúcstechnológia területén.

 

„Az iparágban elsőként kezdjük meg a 10 nanométeres FinFET technológia tömeggyártását, amely jól demonstrálja a fejlett feldolgozási technológiák területén szerzett vezető pozíciónkat” – jelentette ki Jong Shik Yoon ügyvezető alelnök, a Samsung Electronics Félvezetőgyártó üzletágának vezetője. – „Továbbra is mindent megteszünk a skálázási technológiák innovációjának érdekében, hogy vásárlóink számára kiemelkedő, teljes körű megoldásokat nyújthassunk.”

 

A Samsung új 10 nanométeres FinFET technológiája (10LPE) olyan fejlett, 3D tranzisztorszerkezetet alkalmaz, amely a feldolgozási technológia és a design területén egyaránt előrelépést jelent a 14 nanométeres elődhöz képest, így 30 százalékkal hatékonyabb területkihasználtság mellett 27 százalékkal nagyobb teljesítmény és 40 százalékkal alacsonyabb energiafogyasztás érhető el. A méretezési korlátok áttöréséhez olyan csúcstechnológiák alkalmazása szükséges, mint például a kétirányú útvonal-választást lehetővé tévő tripla mintasűrűség; ezek az előző architektúrák kialakítási és útvonal-választási rugalmasságát is megőrzik.

 

 

A Samsung első generációs 10 nanométeres technológiájának (10LPE) bemutatását követően a teljesítménynövekedést jelentő második generáció (10LPP) tömeggyártása a tervek szerint 2017 második felében indul. A széles körben alkalmazható származékos technológiák alkalmazásával a vállalat továbbra is vezető pozíciójának erősítésére törekszik, hogy kielégítse a széleskörű használat iránti igényt.

 

Az ügyfelekkel és a partnerekkel való szoros együttműködés keretein belül a Samsung célja emellett egy olyan masszív 10 nanométeres félvezetőgyártói ökoszisztéma létrehozása, amely többek között kiterjed a referenciaáramlás-ellenőrzésre, IP-kre és könyvtárakra is.

 

A termelési szintű tervezőkészletek (PDK) és IP tervezőkészletek már jelenleg is elérhetők.

 

A 10 nanométeres technológiájú egylapkás rendszerek a következő év elejétől kerülnek felhasználásra a digitális eszközökben, és 2017 folyamán várhatóan széles körben is elterjednek.

Kulcsszavak: FinFET félvezető Samsung

Kövess minket a Facebookon!

Cikkgyűjtő

További fontos híreink

Gépek is rajthoz állnak a most induló Országos IT Megmérettetésen

2024. október 28. 18:06

Megnyitott a Vatera Galéria, a válogatott műtárgyak új platformja

2024. október 22. 15:25

Egy év alatt 45 milliárd forintot loptak el tőlünk a digitális bűnözők

2024. október 15. 16:51

Idén már ezernél is több résztvevőt várnak a Service Design Day-re

2024. október 7. 09:59