Adatfeldolgozási és tárolási kihívások a Samsungtól
A Samsung Electronics új V-NAND (Vertical NAND) memóriamegoldásait a következő generációs adatfeldolgozó- és tárolórendszerek kihívásai hívták életre.
A mesterséges intelligenciát és IoT (Internet of Things) technológiát felhasználó, számos iparágban megjelenő adatintenzív alkalmazások felértékelték a flash memória szerepét a valós idejű információfeldolgozásban.
A Samsung Tech Day és az idei Flash Memory Summit konferencián a Samsung bemutatta legújabb V-NAND megoldásait és szilárdtest-meghajtóit (SSD), melyek lehetővé teszik a mindennapos adatintenzív feladatok elvégzését, például a gépi tanulást vagy a valós idejű analitikai és a nagy teljesítményt igénylő számítástechnikai műveleteket.
„Új, fejlett V-NAND technológiánk intelligens megoldásai magas adatfeldolgozási sebességet, fokozott rendszer-skálázhatóságot és rendkívül alacsony késleltetést biztosítanak a modern felhőalapú alkalmazások számára - mondta Gyoyoung Jin, a Samsung Electronics ügyvezető alelnöke és a memória üzletág vezetője. - Fejlett 3D-NAND falsh memóriatechnológiánk óriási előrelépést jelent az információgazdag adatok feldolgozásában.”
Eljött az 1 terabájtos (Tb) V-NAND chipek kora
Az 1 Tb-os V-NAND chip várhatóan jövő évtől lesz elérhető. Az új technológia által biztosított 2 TB memória egy szimpla VNAND csomagban érkezik 16 1 Tb méretű halmozódással, amely így az elmúlt évtized egyik legnagyobb előrelépését jelenti az iparágban.
NGSFF (Next Generation Small Form Factor) SDD: nagy tárhely, fejlett IOPS
A Samsung első 16 terabájtos TB NGSFF SDD meghajtója jelentősen javítja a mai 1U rack szerverek memóriakapacitását és IOPS-jét (bemeneti és kimeneti műveletek másodpercenként). A Samsung NGSFF SSD 30.5 mm x 110 mm x 4.38 mm-es mérést biztosít az adatközpont-kiszolgálók számára, továbbfejlesztett térfelhasználási és skálázási lehetőségekkel.
Az M.2 meghajtók NGSFF meghajtóval való helyettesítése négyszeresére növelheti a rendszer tárolási kapacitását egy 1U szerverben. A Samsung referencia-szerverrendszere jól mutatja az új technológia előnyeit: a 36 16TB NGSFF SSD segítségével 576TB-ot szállít 1U rackben. Az 1U referenciarendszer 10 millió véletlenszerű leolvasási IOPS-t képes feldolgozni, amely megduplázza a 2,5 hüvelykes SSD-kel felszerelt 1U szerver IOPS teljesítményét. Már két 576TB rendszer használatával elérhetünk egy petabyte kapacitást.
A Samsung az NGSFF SDD-k tömeggyártást az év negyedik negyedévében kezdi el.
Z-SSD: a rövid válaszidőt igénylő rendszerek számára optimalizálva
A Z-SSD technológia tavalyi bevezetését követően a Samsung bemutatta első Z-SSD termékét, az SZ985-öt. Az igen alacsony késleltetésű és nagy teljesítményű Z-SSD-t a rendkívül nagy, adatigényes feladatokat kezelő adatközpontokban és vállalati rendszerekben fogják használni, mint amilyen a valós idejű „nagy adat” elemzés és a nagy teljesítményű szerver gyorsítótár.
A Samsung SZ985 csak 15 mikroszekundum olvasási késleltetési időt igényel, amely körülbelül az NVMe SSD olvasási késleltetésének hetede. A Samsung Z-SSD-k használata akár tizenkettedére is csökkentheti a rendszer válaszidejét az NVMe SSD-khez képest.
Új lehetőségek a Key Value SSD technológiával
A Samsung a teljesen új Key Value SSD technológiát is bemutatta. A név a komplex adatkészletek feldolgozásának rendkívül innovatív módjára utal. Az adatok feldolgozási bonyolultsága jelentősen megnő az objektumadatok, például a szöveg, a kép, a hang és a videofájlok létrehozásához szükséges közösségi médiaszolgáltatások és IoT alkalmazások egyre gyakoribb használatával. A Samsung új technológiája erre is megoldást jelenthet.
Napjainkban az SSD-k széles körben elterjedt objektumadatokat alakítanak át adatblokkokká. Ezek használatához LBA (logikai blokk címzés) és PBA (fizikai blokk címzés) lépésekből álló végrehajtási folyamatokra van szükség. A Samsung új Key Value SSD technológiája lehetővé teszi az SSD-k számára az adatok feldolgozását anélkül, hogy azokat blokkokra konvertálná. A Key Value ehelyett egy „kulcsot” vagy egy meghatározott helyet rendel hozzá minden „értékhez”, vagy az objektumadatokhoz - méretüktől függetlenül. A kulcs lehetővé teszi az adathely közvetlen címzését, ez pedig engedélyezi a tárolás méretezését. A Samsung Key Value technológiájával így lehetséges az SSD-k függőleges és vízszintes skálázása, teljesítményben és kapacitásban egyaránt. Ennek eredményeként az adatok olvasása vagy írása során a Key Value SSD csökkentheti a felesleges lépéseket, ami gyorsabb adatbevitelt és kimenetelt eredményez, valamint javítja a TCO-t és jelentősen megnöveli az SSD élettartamát.
Kapcsolódó cikkek
- A Samsung bemutatta a világ legnagyobb, közel 16 TB-os SSD-jét
- Itt az első 256 GB-os UFS memória
- A Samsung kiadta az iparág első 8 GB-os LPDDR4 DRAM-csomagját
- Megnyílt a Samsung és az SAP nyílt kutatási központja
- A Samsung 960 PRO és EVO SSD-i tovább gyorsítják az NVMe korszak fejlődését
- A Samsung ismertette flash memória-technológiai terveit
- Tömeggyártásba került az iparág első 512 gigabájtos, BGA-tokozású NVMe SSD-je
- Új taggal bővül a Samsung 750 EVO SSD termékcsaládja
- 10 nanométer osztályú DRAM-ok a Samsungtól
- A Samsung megkezdte a 128 GB-os DDR4-es memóriamodulok tömeggyártását