Az Intel 300 mm-es Si-szelet gyárat épít Kaliforniában

Széll Zoltán, 2001. július 7. 12:00

Az Intel a szilíciumlapkák önköltségének csökkentése érdekében gyorsan növeli a 300 mm-es szilíciumszeleteket feldolgozó gyárak számát. A New York-i Prudential Securities Inc. most kiadott híre szerint a lapkagyártó óriás Kaliforniában épít egy újabb 300 mm-es szilíciumszelet-gyárat. Az új gyár az Intel hetedik 300 mm-es Si-szelet gyára.

Az Intel tervezi, hogy a Santa Clara közelében található 200 mm-es RandD gyárat átépíti 300 mm-esre. A D2 jelű gyárban jelenleg 0,18 és 0,13 mikronos technológiát használnak, amelyet 2002-ben teljes egészében 130 nm-esre állítanak át. Jelenleg a D2 gyárban készítik a 130 nm-es Northwood Pentium 4 processzorok első sorozatait, valamint a flashmemóriákat. Az Intel hivatalosan nem fűzött kommentárt a Prudential bejelentéséhez. A vállalat szóvivője bejelentette, hogy a D2 gyárban befejezték a negyedik modul építését, ahol 0,18 mikronos technológiával készítik a lapkákat.

Az átalakítás befejezése után a D2 gyár az Intel hetedik 300 mm-es gyára lesz. Az Intel - a világ legnagyobb lapkagyártója - a tervek szerint három 300 mm-es szilíciumszelet-gyárat épít Hilsboróban. Ezek a D1C és D1D fejlesztőgyárak és az új RP kutatóüzem. További 300 mm-es szilíciumszelet-termelő gyárak épülnek Új-Mexikóban, Írországban és Arizonában. Az Intel az idei 7,5 milliárd dolláros rekordszintű beruházással a 300 mm-es és rézvezető technológiákat célozza.