Következő generációs litográfiai eszközök

Széll Zoltán, 2001. szeptember 15. 12:34

A vezető litográfiaieszköz-gyártók az International Sematech konferencián bejelentették, hogy gyorsították a következő generációs litográfiai (NGL) eszközök fejlesztését.

NGL gyűjtőnéven olyan berendezéseket fejlesztenek, mint az EUV (extreme ultraviolet = különlegesen rövid hullámhosszúságú, ibolyán túli fénysugár) és az EPL (electron projection litography = elektronsugaras rajzolóberendezés) eszközök.

A konferencián bemutatott International Technology Roadmap for Semiconductors (ITRS) az alábbi bevezetési időpontokat, technológiai méreteket és eszközöket definiálja:

2001: 130 nm-es technológia: 248 nm és 193 nm szkennerek.

2003: 90 nm-es technológia: 193 nm-es szkennerek.

2005: 5 nm-es technológia: 157 nm-es szkennerek.

2007: 45 nm-es technológia: EUV, EPL litográfiai berendezések.

2009: 32 nm-es technológia: EUV litográfiai berendezések.

A 65 nm-es eszközök 2005-ben jelennek meg a piacon, a 45 nm-esek 2007-ben, míg a 32 nm-esek 2009-ben.

Az NGL keretében a japán Nikon és az IBM EPL litográfiai berendezéseket, az ASML, a Canon és a Nikon EUV eszközöket fejleszt. Az utóbbiakat a 45 és 32 nm-es technológiához használják majd. Az EUV- és az EPL-tábor között hatalmas verseny várható, hogy melyikük hozza ki elsőként a piacra termékét. Sajnos még mind a kétfajta berendezéssel kapcsolatban sok problémát (pl. maszkok) kell megoldani.