Intel: 90 nanométeres technológiával készült NOR Flash memória

forrás Prim Online, 2004. február 20. 14:55
Sean Maloney, az Intel ügyvezető elnök-helyettese és az Intel Communications Group ügyvezető igazgatója bemutatta a világ első, 90-nanométeres technológiával készült NOR flash memóriát február 19-én, csütörtökön az IDF-en.
Az Intel Wireless Flash Memory az Intel ötödik generációs flash memória-technológiája, mely megtartja a flash memóriák magas szintű teljesítményét, melyet a vezeték nélküli kézibeszélő-gyártók igényelnek. A 90 nanométeres technológiával gyártott Intel Wireless Flash Memory hozzávetőlegesen 50%-kal kisebb, csökkenti az előállítási költségeket és megduplázhatja az Intel termelési kapacitását. Az első flash memória-termék cellánként egy-bitet tartalmaz (single-bit per cell device). Ezen többszörös rétegű cella technológiával (multi-level cell – MLC) készült eszközöket az Intel 2004 második felében mutat majd be. Az új technológia segítségével kétszer annyi információ tárolható egy cellában, mint a régebbi eszközökben.
Kulcsszavak: Intel IDF

Kövess minket a Facebookon!

Cikkgyűjtő

További fontos híreink

Gépek is rajthoz állnak a most induló Országos IT Megmérettetésen

2024. október 28. 18:06

Megnyitott a Vatera Galéria, a válogatott műtárgyak új platformja

2024. október 22. 15:25

Egy év alatt 45 milliárd forintot loptak el tőlünk a digitális bűnözők

2024. október 15. 16:51

Idén már ezernél is több résztvevőt várnak a Service Design Day-re

2024. október 7. 09:59