Intel: 90 nanométeres technológiával készült NOR Flash memória
forrás Prim Online, 2004. február 20. 14:55
Az Intel Wireless Flash Memory az Intel ötödik generációs flash memória-technológiája, mely megtartja a flash memóriák magas szintű teljesítményét, melyet a vezeték nélküli kézibeszélő-gyártók igényelnek. A 90 nanométeres technológiával gyártott Intel Wireless Flash Memory hozzávetőlegesen 50%-kal kisebb, csökkenti az előállítási költségeket és megduplázhatja az Intel termelési kapacitását. Az első flash memória-termék cellánként egy-bitet tartalmaz (single-bit per cell device). Ezen többszörös rétegű cella technológiával (multi-level cell – MLC) készült eszközöket az Intel 2004 második felében mutat majd be. Az új technológia segítségével kétszer annyi információ tárolható egy cellában, mint a régebbi eszközökben.
Kapcsolódó cikkek
- Az Intel 10 millió dollárt fektet RFID-be
- Az Intel felfedte a Larrabee teraflop processzor néhány részletét
- Egymillió eladott négymagos Intel CPU
- Új belépőszintű processzorok az Inteltől
- Intel 2 TFLOPS teljesítményű processzor
- Az Intel G31 és P31 három régi lapkakészletet helyettesít
- Google-Intel zöld kezdeményezés
- Nem lesz 45 nm-es Itanium
- Széndioxid-csökkentés a számítástechnikában
- Az Intel 50%-kal csökkenti a négymagos CPU-k árát