512 Mbites GDDR4 DRAM a Hynix-tól
Milkovits Gábor, 2005. december 5. 21:25
A mozgóképek és grafikus adatok nagysebességű feldolgozását lehetővé tevő GDDR DRAM csipek negyedik generációja közel kétszer akkora sebességre képes, mint elődjük a GDDR3, ennélfogva pedig ideálisak lehetnek a közeljövőben elterjedő 64 bites alkalmazások számára. A Hynix új 16Mx32-es modellje 2,9 gigabit/s-os sebességgel dolgozik és 11,6 gigabájt adatot dolgoz fel egy másodperc alatt.
A versenytárs Samsung is hasonló megoldásokon dolgozik: 256 megabites GDDR4 csipjüket októberben mutatták be, 2,8 gigabit/s-os termékük mintapéldányai pedig szintén még az idénre várhatók.
A versenytárs Samsung is hasonló megoldásokon dolgozik: 256 megabites GDDR4 csipjüket októberben mutatták be, 2,8 gigabit/s-os termékük mintapéldányai pedig szintén még az idénre várhatók.
Kapcsolódó cikkek
- 4 GB-os Samsung mobiltelefonos memóriacsip
- USB flash-eszközök akár teljes felhasználói profilok hordozásához
- 50nm-es Intel-Micron MLC NAND flash memória
- Flashmemória automatából
- 8 GB Samsung flasmemória mobiltelefonokhoz
- Koreai tudósok 8 nm-es NAND csipet fejlesztettek ki
- Flashmemóriás laptopot tervez az Apple?
- Samsung: 60nm-es, 1Gbites DDR2 DRAM lapka
- 2000 MHz-es Samsung grafikus memória
- 2 gramm súlyú flashkártyák