Intel: szabad az út az 50 nm-es Samsung DDR2 DRAM előtt

Milkovits Gábor, 2007. július 22. 10:47

A Samsung bejelentette, hogy az Intel elfogadta 50 nm-es DDR2 DRAM memóriacsipjeit saját lapkakészleteivel együttműködő termékekként, így hamarosan megjelenhetnek a számítógépekben.

A dél-koreai gyártó szerint az 1 Gb-es eszköz kétszer olyan olcsón előállítható, mint a szintén 1 Gb-es ám 80 nm-es technológiával gyártott verzió, míg a 60 nm-es eljárással szemben ez az előny 50%. Ez egyúttal azt is jelenti, hogy ugyanakkora ráfordítás mellett kétszer vagy másfélszer annyi DDR2 DRAM lapkát tudnak gyártani, amivel az esetleges hiány is könnyebben kivédhető.

A Samsung az Inteltől kapott zöld jelzés után 2008 első felében kezdi meg a termékek sorozatgyártását, amelyek egyébként 800 megabit/s-os sebességgel kommunikálnak a lapkakészletekkel. A Samsung természetesen következő generációs DRAM csipjeinél is bevezeti majd az 50 nm-es eljárást, beleértve a DDR3, a GDDR4 a GDDR5 és a mobil DRAM termékeket.

Kulcsszavak: Intel Samsung memória

Kövess minket a Facebookon!

Cikkgyűjtő

További fontos híreink

Huszadik alkalommal adták át a Hégető Honorka-díjakat

2024. november 21. 16:58

Hosszabbít ’Az Év Honlapja’ pályázat!

2024. november 19. 09:54

Törj be a digitális élvonalba: Nevezz ’Az Év Honlapja’ pályázatra!

2024. november 14. 16:36

A virtuális valóság az egészségügyet is forradalmasíthatja

2024. november 12. 18:01