Tizenhat gigabájtos, 50 nm-es DDR3 memóriamodulok
Széll Zoltán, 2008. szeptember 29. 12:08
A Samsung bejelentette, hogy megkezdte az 50 nm-es DDR3 eszközök mintáinak szállítását, amelyek a korábbiaknál sokkal energiatakarékosabb, maximum 16 GB kapacitású memóriamodulok gyártását teszi lehetővé.
A vállalat szóvivője elmondta, hogy az 50 nm-es minták, 2 gigabites DDR3 eszközök, amelyek kétszer nagyobb sűrűségűek, mint a mai 1 gigabites lapkák és 40 százalékkal kevesebb energiát igényelnek, mint az elődök. A Samsung szerint a 2 Gbites lapkák gyártása 60 százalékkal termelékenyebb. A szóvivő a fentiekhez még hozzátette, hogy a kis formátumú eszközök maximum 8 GB-os RIMM konfigurációk, valamint 4 GB-os, noteszgépekben használható SODIMM modulok előállítását teszik lehetővé. Két lapkát tartalmazó tokok használatával 16 GB-os modulok gyárthatók asztali PC-khez és szerverekhez. A Samsung szerint a 2 gigabites eszközök maximum 1,3 Gb/s adatátviteli sebességet támogatnak 1,5 vagy 1,35 volt tápfeszültség használata mellett. A 2 Gbites lapkák gyártása a negyedik negyedévben kezdődik, míg a DRAM technológián alapuló 2 Gbites DDR3 eszközöké 2009-ben.
Kapcsolódó cikkek
- Gyorsabb és energiatakarékosabb mobilok Samsung PCM memóriával
- Nagyteljesítményű és takarékos új Samsung RAM
- 32 GB-os Samsung memóriacsipek 30 nm-es technológiával
- A Samsung egyelőre nem számít a memóriaáramkör piac fellendülésére
- 40 nanométeres technológiával gyárt memóriát a Samsung
- Kikosarazta a Samsungot a SanDisk
- A Samsung kész a 64GB SATA II SSD tárolókkal
- A Samsung 6Gbps GDDR5 grafikus memóriát fejleszt
- Új generációs flash chipek a Samsungtól
- Intel: szabad az út az 50 nm-es Samsung DDR2 DRAM előtt