4 bit egy tárolócellában
Az előrejelzések szerint 2004-ben a mobiltelefonok már 100 MB-os tárolót használnak. Az új technológiák lehetővé teszik az 1 bit adat tárolási költségének csökkentését. Az Intel a tervek szerint a 4 bit/cella flash memória lapkákat 2003-ban vagy 2004-ben vezeti be. Addig a 2 bit/cella flash memória lapkák ára jóval 10 dollár alá csökken. A 4 bit/cella flash memória lapkák dolláros áron kerülnek bevezetésre.
Jelenleg a Strataflash termékeknél a 2 bit adat írásához és olvasásához egy flash cellában az Intel négy részre osztja a küszöbfeszültséget. A 4 bit/cella flash lapkáknál 4 szint helyett 16-ra van szükség. A fejlesztőknek 3 voltot kell felosztani 16 részre, míg korábban 5 voltot négyre. Az Intel jelenleg 0,18 mikronos technológiát használ a flash memória lapkák gyártásához, de 2002.-ben áttérnek a 130 nm-esre.
Kapcsolódó cikkek
- Intel: szabad az út az 50 nm-es Samsung DDR2 DRAM előtt
- 50nm-es Intel-Micron MLC NAND flash memória
- 8 GB Samsung flasmemória mobiltelefonokhoz
- 50 nm-es NAND flash csipek az Intel-től és a Micron-tól
- Intel 65 nm-es Tavor processzor
- Intel logo mobiltelefonokra
- Kettős feszültségű memóriakártyák a Kingston-tól
- Az Intel egyeduralomra tör a mibilchip-világban
- Adapteres RS memória bármilyen MMC telefonba
- Új NOR flashmemória eszközök az Inteltől