Intel: 90 nanométeres technológiával készült NOR Flash memória

forrás Prim Online, 2004. február 20. 14:55
Sean Maloney, az Intel ügyvezető elnök-helyettese és az Intel Communications Group ügyvezető igazgatója bemutatta a világ első, 90-nanométeres technológiával készült NOR flash memóriát február 19-én, csütörtökön az IDF-en.
Az Intel Wireless Flash Memory az Intel ötödik generációs flash memória-technológiája, mely megtartja a flash memóriák magas szintű teljesítményét, melyet a vezeték nélküli kézibeszélő-gyártók igényelnek. A 90 nanométeres technológiával gyártott Intel Wireless Flash Memory hozzávetőlegesen 50%-kal kisebb, csökkenti az előállítási költségeket és megduplázhatja az Intel termelési kapacitását. Az első flash memória-termék cellánként egy-bitet tartalmaz (single-bit per cell device). Ezen többszörös rétegű cella technológiával (multi-level cell – MLC) készült eszközöket az Intel 2004 második felében mutat majd be. Az új technológia segítségével kétszer annyi információ tárolható egy cellában, mint a régebbi eszközökben.
Kulcsszavak: Intel IDF

Kövess minket a Facebookon!

Cikkgyűjtő

További fontos híreink

Huszadik alkalommal adták át a Hégető Honorka-díjakat

2024. november 21. 16:58

Hosszabbít ’Az Év Honlapja’ pályázat!

2024. november 19. 09:54

Törj be a digitális élvonalba: Nevezz ’Az Év Honlapja’ pályázatra!

2024. november 14. 16:36

A virtuális valóság az egészségügyet is forradalmasíthatja

2024. november 12. 18:01