Samsung: tízszer gyorsabb 512Mb XDR memórialapka
Széll Zoltán, 2005. január 31. 09:17
A Samsung megkezdte a 256Mb kapacitású Rambus XDR memórialapkák
tömeggyártását. Az új eszköz átviteli sebessége 8bit/óraciklus, azaz
8GBps, tízszer gyorsabb, mint a 400MHz-es DDR SDRAM.
Az új memórialapkák a Rambus DRSL (Differential Rambus Signal Level = Rambus differenciál jelszint) technológiát használják. Az XDR (kódneve ’Yellowstone’) eszközt a Rambus fejlesztette az RDRAM utódjaként, amely a DDR memóriák versenytársa lehet a jövő PC-éiben. Az XDR memórialapkák először a Sony PlayStation 3 játék-konzolban tűnnek majd fel. A 256Mb-es lapkát az 512Mb-es lapka követi az év második felében. A minták szállítása már megkezdődött. Ennek átviteli sávszélessége 12,8GBps.
Kapcsolódó cikkek
- 4 GB-os Samsung mobiltelefonos memóriacsip
- 8 GB Samsung flasmemória mobiltelefonokhoz
- Samsung: 60nm-es, 1Gbites DDR2 DRAM lapka
- 2000 MHz-es Samsung grafikus memória
- A Samsung kész a flash lapkákkal a 32GB-os SSD-hez
- Samsung memória-újdonságok
- Samsung MoviNAND flash modulok sorozatgyártásban
- 8 Gb-es Samsung memóriacsipek 60 nm-es technológiával
- A Samsung erőteljes memóriaáramkör-keresletre és drágulásra számít
- Emelkedésnek indult a flash memória áramkörök ára