40 nanométeres technológiával gyárt memóriát a Samsung
Milkovits Gábor, 2009. február 5. 21:14
A Samsung bejelentette, hogy a világon elsőként 40 nanométeres eljárással sikerült DRAM memóriát gyártania, ami sok szempontból újabb áttörést jelenthet az ágazatban.
A Samsung egyelőre egy 1 GB-os DDR2 prototípust mutatott be, amely azonban már kompatibilis az Intel GM45 Express noteszgép-lapkakészletével. A 40 nm-es, 2 GB-os DDR3 modult szintén még az idén tervezi bemutatni a Samsung. Jelenleg a DRAM memóriacsipek többnyire 50 nm-es technológiával készülnek, azonban már ezek is gyakran akár 40 százalékkal energiatakarékosabbak, mint elődeik.
Kapcsolódó cikkek
- Gyorsabb és energiatakarékosabb mobilok Samsung PCM memóriával
- Nagyteljesítményű és takarékos új Samsung RAM
- 32 GB-os Samsung memóriacsipek 30 nm-es technológiával
- A Samsung egyelőre nem számít a memóriaáramkör piac fellendülésére
- Tizenhat gigabájtos, 50 nm-es DDR3 memóriamodulok
- Kikosarazta a Samsungot a SanDisk
- Néhány év múlva teljesen új memória-technológiával rukkol elő az IBM
- A Samsung kész a 64GB SATA II SSD tárolókkal
- A Samsung 6Gbps GDDR5 grafikus memóriát fejleszt
- Új generációs flash chipek a Samsungtól