Prim Hírek

3,3 voltos, 1 Gbites, többszintű NAND flashmemória-lapkát mutatnak be a Samsung kutatói. Az 1 Gbit kapacitású flashmemória 2 bitet tárol cellánként, gyártásához 0,15 mikronos technológiát használnak. A memória négy független, egyidejűleg működő bankot tartalmaz, amelyek együttes sávszélessége 1,6 MB/mp. A cellák használhatók 1 bit tárolására is. Ebben az esetben 512 Mb, 1 bit/cella NAND flashmemóriaként használható.

A Hitachi 512 Mbites AND típusú flashmemória-lapkát mutat be. A 126,6 mm2 méretű lapka 0,18 mikronos technológiával készül, 1,8 voltos tápfeszültséggel működik és többszintű - több bit cellánként - technikát használ.

Az Intel 1,8 voltos, 64 Mbites, 100 MHz-es nagyon rugalmas flashmemória részleteit tárja fel. A flashmemória rugalmasságát a többpartíciós architektúra biztosítja, amely a programozóknak megengedi a törlést egy partícióban, az olvasást egy másik partícióból. A 0,32 mikrométer2 helyfoglalású cellákat tartalmazó lapkát 0,18 mikronos technológiával gyártják. Az adatok elérési ideje 18 ns aszinkron lap módú hozzáférés esetén.

DRAM

A Samsung 4 Gbites DDR SDRAM memórialapkát mutat be. Az 1,8 voltos tápfeszültséggel működő, 645 mm2 méretű 4 Gbites DDR SDRAM konstrukció egyesíti az alacsony működési feszültséget, a nagy sebességet és sűrűséget. A belső bitvonalat úgy alakították ki, hogy csökkentse a zajt. Az információt rendkívül érzékeny erősítőkön keresztül lehet kiolvasni.

Mikroprocesszorok

Az Intel ebben a szegmensben több érdekességet is bemutat. A méretezhető teljesítményű 32 bites mikroprocesszor RISC magon alapul, és 6 fémréteget tartalmazó 0,18 mikronos CMOS technológiával készítik. A mikroprocesszormag mindössze 16,66 mm2 helyet foglal el a lapkán, hőtermelése 1,3 volt tápfeszültség és 600 MHz-es órajel használatával 450 mW, 200 MHz-es órajellel és 0,7 volt tápfeszültséggel 55mW (minimum) és 800 MHz-en 1,65 volt tápfeszültséggel 1,55 watt (maximum).

A lapkagyártó óriás egy különlegességet is bemutat. A 482 ps ciklusidejű 64 bites Han-Carlson ALU (aritmetikai és logikai egység) érdekessége, hogy 1,5 voltos, 0,18 mikronos hagyományos CMOS technológiával és 0,18 mikrométeres SOI technológiával is elkészítették. Az utóbbi 14 százalékkal gyorsabb. A SOI technológiához az ALU-t újratervezték, és a "négy fa" architektúra további 19 százalékkal növeli a sebességet. A 0,13 mikronos technológia használata további 23 százalékkal fokozza az ALU sebességét.

A 4 GHz-es Integer Execution Unit (fixpontos végrehajtó egység) a mikroprocesszor többi részétől függetlenül 4 GHz-es órajellel dolgozik. A tervezők ezt a nagy sebességet 0,18 mikronos technológiával és 6 alumíniumréteggel érték el.

Az IBM a 4. generációs Power mikroprocesszor, a Power4 fizikai jellemzőiről rántja le a leplet. A lapka 170 millió tranzisztort, 2 mikroprocesszormagot, L1 adat- és utasítás-gyorsítótárat, osztott L2 gyorsítótárat, vezérlőt (a külső L3 gyorsítótárhoz) és határfelületeket (többi lapka felé SMP elrendezésben) tartalmaz. Az IBM a Power4 lapkát 0,18 mikronos SOI-réz (7 réteg) technológiával gyártja, amely 1,1 GHz-es órajel és 1,5 volt tápfeszültség mellett 115 watt hőt termel.

A Compaq Computer tervezői az Alpha mikroprocesszor-család 1,2 GHz-es 4. generációs tagjának - 21364 - technikai részleteit mutatja be. A lapka 1,75 MB 2. szintű visszaíró gyorsítótárat, két memóriavezérlőt (nyolc 800 Mb/s Rambus csatorna), négy 6,4 GB/mp sebességű, processzorok közötti kommunikációs portot és egy 6,4 GB/mp I/O portot támogat. A 21,1x18,8 mm méretű lapka 130 millió tranzisztort tartalmaz. A lapka teljes sávszélessége a kivezetéseken 44,8 GB/mp.

A Hewlett-Packard a PA-RISC processzorsorozat 1 GHz-es (PA-8800) tagját mutatja be. A processzor az előző generációs PA-RISC processzor növelt képességű változata. Az új a lapka 0,18 mikronos SOI (silicon-on-insulator = szilíciumon szigetelő) eljárással és 7 rétegű fémezéssel készül, és 2,25 MB integrált gyorsítótárat tartalmaz.