Samsung: NAND mobil DDR MCP memóriák mobiltelefonokhoz
forrás Prim Online, 2003. július 10. 11:33
A Samsung bejelentette az iparág első kereskedelmi forgalomban elérhető NAND/DRAM többlapkás (MCP) memóriamegoldását, mely egy 256 megabites mobil DDR SDRAM és két 256 megabites NAND flash eszközt tartalmaz. A megoldás leegyszerűsíti a nagy felbontású videó- és játékszolgáltatások kis méretben és kis fogyasztással történő megvalósítása során felmerülő tervezési problémákat a harmadik generációs mobilkészülékek tervezésekor.
„A Samsung többlapkás megoldása új utat nyit a jövő alacsony fogyasztású, helytakarékos, vezető technológiát használó memóriaközpontú megoldásai számára, melyek a vezeték nélküli készülékek piacát célozzák." - mondta Ivan Greenberg, a Samsung Semiconductor, Inc. stratégiai marketingért felelős igazgatója. „A fejlett memória- és tokozási technológia lehetőséget biztosít a vizuálisan gazdag felhasználói felület kialakítására anélkül, hogy kompromisszumokat kellene kötni a készülék energiafogyasztása vagy helyigénye terén."
A Samsung mobil DDR megoldása a mobilkörnyezet speciális igényeinek megfelelően készült. Minden csatlakozás akár 200 megabitnyi adatot továbbíthat másodpercenként, kétszer annyit, mint a mai mobiltelefonokban használt SDRAM megoldások. A 256 megabites mobil DDR SDRAM pedig akár 400 megabájtnyit adatot továbbít másodpercenként. Az ilyen szintű sávszélesség ösztönzi a kiváló minőségű videofilmek megjelenítését és felvételét, az 1,8 voltos feszültség pedig a mobil alkalmazásokban különösen fontos kis fogyasztást támogatja.
Ez a lapkacsomag egyféle kapcsolódást ajánl a DRAM típusától (DDR vagy SDR), a DRAM méretétől, a DRAM adatbusz szélességétől, a NAND méretétől és a NAND adatbusz szélességétől függetlenül. Ennek köszönhetően leegyszerűsödik a készülékek alaplapjának tervezése, hiszen a lapkák számával és elrendezésével kapcsolatos döntési pontok száma csökken. A hatalmas előny az áramkörök tervezési költségének csökkenése.
A két NAND Flash eszköz akár egyórányi videofilm tárolását teszi lehetővé. A NAND a telefon elindításához használt vezérlő- és lapkakészlet firmware-jének használatával optimalizálható, így nincs szükség NOR eszközökre a készülékben. A fogyasztás további csökkentése érdekében a NAND Flash magja és be-/kimenetei teljes egészében 1,8 V feszültségen működnek.
A mobil DDR eszköz Delay Locked Loop (DLL) és feszültségreferencia (Vref) funkciói megszűntek a fogyasztás csökkentése érdekében, mely így jelentősen kisebb a nagy sebességű PC-kben használatos DDR memóriákénál. A belső hőkompenzált önfrissítő áramkör automatikusan beállítja a DRAM önfrissítési idejét a hőmérséklet változásának megfelelően, így meghosszabbítja a telefon készenléti és beszélgetési idejét.
A mobil DDR lapkacsomag megfelel a nemzetközi szabványoknak és a JEDEC szabványok teljes skáláját támogatja, beleértve a „deep power down mode", „programmable driver strength" és „partial array/self-refresh" funkciókat is.
A Samsung 1,8 V 256 Mb mobil SDRAM és 1,8 V 256 Mb DDR SDRAM megoldásokat a főbb telefongyártók február óta tesztelik, és az eredmények szerint a termékek együttműködnek a telefonok alaplapjaival. Az 1,8 V lapkacsomagra épülő memória-megoldásokból már most rendelkezésre állnak mintadarabok.
A Samsung mobil DDR megoldása a mobilkörnyezet speciális igényeinek megfelelően készült. Minden csatlakozás akár 200 megabitnyi adatot továbbíthat másodpercenként, kétszer annyit, mint a mai mobiltelefonokban használt SDRAM megoldások. A 256 megabites mobil DDR SDRAM pedig akár 400 megabájtnyit adatot továbbít másodpercenként. Az ilyen szintű sávszélesség ösztönzi a kiváló minőségű videofilmek megjelenítését és felvételét, az 1,8 voltos feszültség pedig a mobil alkalmazásokban különösen fontos kis fogyasztást támogatja.
Ez a lapkacsomag egyféle kapcsolódást ajánl a DRAM típusától (DDR vagy SDR), a DRAM méretétől, a DRAM adatbusz szélességétől, a NAND méretétől és a NAND adatbusz szélességétől függetlenül. Ennek köszönhetően leegyszerűsödik a készülékek alaplapjának tervezése, hiszen a lapkák számával és elrendezésével kapcsolatos döntési pontok száma csökken. A hatalmas előny az áramkörök tervezési költségének csökkenése.
A két NAND Flash eszköz akár egyórányi videofilm tárolását teszi lehetővé. A NAND a telefon elindításához használt vezérlő- és lapkakészlet firmware-jének használatával optimalizálható, így nincs szükség NOR eszközökre a készülékben. A fogyasztás további csökkentése érdekében a NAND Flash magja és be-/kimenetei teljes egészében 1,8 V feszültségen működnek.
A mobil DDR eszköz Delay Locked Loop (DLL) és feszültségreferencia (Vref) funkciói megszűntek a fogyasztás csökkentése érdekében, mely így jelentősen kisebb a nagy sebességű PC-kben használatos DDR memóriákénál. A belső hőkompenzált önfrissítő áramkör automatikusan beállítja a DRAM önfrissítési idejét a hőmérséklet változásának megfelelően, így meghosszabbítja a telefon készenléti és beszélgetési idejét.
A mobil DDR lapkacsomag megfelel a nemzetközi szabványoknak és a JEDEC szabványok teljes skáláját támogatja, beleértve a „deep power down mode", „programmable driver strength" és „partial array/self-refresh" funkciókat is.
A Samsung 1,8 V 256 Mb mobil SDRAM és 1,8 V 256 Mb DDR SDRAM megoldásokat a főbb telefongyártók február óta tesztelik, és az eredmények szerint a termékek együttműködnek a telefonok alaplapjaival. Az 1,8 V lapkacsomagra épülő memória-megoldásokból már most rendelkezésre állnak mintadarabok.
Kapcsolódó cikkek
- 4 GB-os Samsung mobiltelefonos memóriacsip
- Samsung: komoly hiány várható a NAND flash piacon
- 8 GB Samsung flasmemória mobiltelefonokhoz
- Samsung: 60nm-es, 1Gbites DDR2 DRAM lapka
- 2000 MHz-es Samsung grafikus memória
- A Samsung kész a flash lapkákkal a 32GB-os SSD-hez
- Samsung memória-újdonságok
- Samsung MoviNAND flash modulok sorozatgyártásban
- 8 Gb-es Samsung memóriacsipek 60 nm-es technológiával
- A Samsung erőteljes memóriaáramkör-keresletre és drágulásra számít