4 Gbites NAND flash memória
Széll Zoltán, 2004. április 13. 12:35
A SanDisk és a Toshiba közösen 4 Gbites NAND flash memóriát
fejlesztett. A nagy kapacitás annak köszönhető, hogy a fejlesztők
többszintű cellatechnológiát használtak és a lapkákat 90 nm-es
eljárással készítették. Az új lapka kapacitása felülmúlja a korábbi
rekorder, a Samsung 2 Gbites NAND flash lapkáét, amely szintén 90 nm-es
technológiával készült.
A partnerek ezzel egyidejűleg egy 8 Gbites eszközt is fejlesztettek, amely két egymásra helyezett 4 Gbites lapkát tartalmaz egyetlen tokban. A két memória mintái már elkészültek és egy hónapon belül kaphatók lesznek 113 dollárért (4 Gbites eszköz), illetve 226 dollárért (8 Gbites eszköz). A két vállalat a 4 és 8 Gbites memóriák sorozatgyártását a harmadik negyedévben kezdi a „Flash Vision Japan” cégnél, amely a Toshiba és a SunDisk közös vállalata és a Toshiba yokkaichi gyárában található. A gyár havi kapacitása 300 000 egység/hónap.
A SanDisk és a Toshiba többszintű cellatechnológiával és 90 nm-es eljárással érte el a páratlan tárolókapacitás-sűrűséget. Ez a kapacitás a 130 nm-es technológiával gyártott lapkákénak kétszerese.
A Toshiba szerint az új 4 Gbites NAND flash memória elődjénél 8-szor gyorsabb írási sebességgel rendelkezik. A lapok mérete 2048+64 bájt, a jelenleg nagy tömegben gyártott lapkáé 512+12 bájt. A programozási sebesség 1000 ms-ról 600 ms-ra csökkent.
A terméksor kiterjesztéseként a két vállalat 16 Gbites NAND flash memória bevezetését tervezi. Ez az eszköz négy egymás tetejére helyezett, 4 Gbites lapkát tartalmaz, a 8 Gbiteshez hasonló méretű TSOP tokban. Ennek mintái a harmadik negyedévben lesznek kaphatók, de a tömeggyártás megkezdésének időpontját még nem hozták nyilvánosságra.
A Toshiba az új memóriákat kártyatermékekben használja, de a lapkákat a memóriapiacon is teríti. A SunDisk az új nagy kapacitású memóriaeszközöket saját kártya termékeiben kívánja használni.
A flash memóriák iránti igény gyorsan nő. Ezért a két vállalat új 300 mm gyár építését kezdi meg, ahol 2005 második felében indul a termelés. Az új gyár építését a héten kezdik. Az első kapavágásra ünnepélyes keretek között a Toshiba yokkaichi gyárában kerül sor.
A SanDisk és a Toshiba többszintű cellatechnológiával és 90 nm-es eljárással érte el a páratlan tárolókapacitás-sűrűséget. Ez a kapacitás a 130 nm-es technológiával gyártott lapkákénak kétszerese.
A Toshiba szerint az új 4 Gbites NAND flash memória elődjénél 8-szor gyorsabb írási sebességgel rendelkezik. A lapok mérete 2048+64 bájt, a jelenleg nagy tömegben gyártott lapkáé 512+12 bájt. A programozási sebesség 1000 ms-ról 600 ms-ra csökkent.
A terméksor kiterjesztéseként a két vállalat 16 Gbites NAND flash memória bevezetését tervezi. Ez az eszköz négy egymás tetejére helyezett, 4 Gbites lapkát tartalmaz, a 8 Gbiteshez hasonló méretű TSOP tokban. Ennek mintái a harmadik negyedévben lesznek kaphatók, de a tömeggyártás megkezdésének időpontját még nem hozták nyilvánosságra.
A Toshiba az új memóriákat kártyatermékekben használja, de a lapkákat a memóriapiacon is teríti. A SunDisk az új nagy kapacitású memóriaeszközöket saját kártya termékeiben kívánja használni.
A flash memóriák iránti igény gyorsan nő. Ezért a két vállalat új 300 mm gyár építését kezdi meg, ahol 2005 második felében indul a termelés. Az új gyár építését a héten kezdik. Az első kapavágásra ünnepélyes keretek között a Toshiba yokkaichi gyárában kerül sor.
Kapcsolódó cikkek
- USB flash-eszközök akár teljes felhasználói profilok hordozásához
- 5,2 milliárd dolláros beruházással épít új üzemet a Toshiba és SanDisk
- Toshiba/SanDisk NAND flash üzem Japánban 5,2 milliárd dollárért
- Rambus-Toshiba memóriamegállapodás
- CES: Új mp3 lejátszók a Toshibától és a SanDisk-től
- Kétszer gyorsabb NAND flash eszközök a Toshibától
- Memory Stick Micro: újabb memóriakártya-formátum a Sonytól és a SanDisktől
- Új SanDisk flashmemória eszközök
- Szupergyors XDR DRAM memórialapkák a Toshiba-tól
- Engedélyeztetés alatt a következő generációs SD memóriakártya